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サムスン電子、3ナノ半導体を量産 世界初「ファウンドリ事業に一線を画した」
サムスン電子が世界で初めて3ナノメートル（10億分の1メートル）工程で作ったファウンドリー製品の出荷式を行った。
サムスン電子は京畿道（キョンギド）華城キャンパスの極端紫外線（EUV）専用ラインである「V1」で、次世代トランジスタであるゲートオールアラウンド（GAA）技術を適用した3ナノファウンドリ製品の出荷を記念するイベントを開催した。
この日、現場でサムスン電子は「革新的な技術力で世界最高に向かっていきます」という文句が刻まれた製品の船積み用車両を公開し、自信を示した。キョン社長は「サムスン電子は今回の製品量産でファウンドリ事業に一線を画した」とし「技術的限界に達した時、GAA新技術早期開発に成功したのは無から有を創造する革新的な結果」と話した。
サムスン電子は、新しい工程であるGAAの技術研究を2000年代初めから始めた。GAAは従来のFinFET構造よりトランジスタ内の電流が流れる通路が多くなり、より多くのデータをはやい速度で伝達できるのが長所だ。サムスン電子は2017年から3ナノ工程を本格採用し、先月に世界で初めてGAA技術を適用した工程での量産を発表した。3ナノGAA工程は高性能コンピューティングに初めて適用され、今後モバイル用システムチップなど多様な製品に拡大採用される予定だ。サムスン電子は漸進的に3ナノGAAファウンドリを華城に続き平沢（ピョンテク）キャンパスまで適用していく計画だ。
サムスン電子、3ナノ半導体を量産 世界初「ファウンドリ事業に一線を画した」
25日、サムスン電子華城（ファソン）キャンパスで開かれたファウンドリ3ナノ出荷式で、出席者たちが記念セレモニーを行っている。 [イ・チュンウ記者]
サムスン電子は京畿道（キョンギド）華城キャンパスの極端紫外線（EUV）専用ラインである「V1」で、次世代トランジスタであるゲートオールアラウンド（GAA）技術を適用した3ナノファウンドリ製品の出荷を記念するイベントを開催した。
この日、現場でサムスン電子は「革新的な技術力で世界最高に向かっていきます」という文句が刻まれた製品の船積み用車両を公開し、自信を示した。キョン社長は「サムスン電子は今回の製品量産でファウンドリ事業に一線を画した」とし「技術的限界に達した時、GAA新技術早期開発に成功したのは無から有を創造する革新的な結果」と話した。
サムスン電子は、新しい工程であるGAAの技術研究を2000年代初めから始めた。GAAは従来のFinFET構造よりトランジスタ内の電流が流れる通路が多くなり、より多くのデータをはやい速度で伝達できるのが長所だ。サムスン電子は2017年から3ナノ工程を本格採用し、先月に世界で初めてGAA技術を適用した工程での量産を発表した。3ナノGAA工程は高性能コンピューティングに初めて適用され、今後モバイル用システムチップなど多様な製品に拡大採用される予定だ。サムスン電子は漸進的に3ナノGAAファウンドリを華城に続き平沢（ピョンテク）キャンパスまで適用していく計画だ。
- 毎日経済 | オ・チャンジョン記者
- 入力 2022-07-25 17:39:50
