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サムスン電子、14ナノ第2世代FinFETでモバイルチップ量産
「エクシノス8」第1世代より消費電力15％ダウン・性能15％アップ…ファウンドリ製品も量産
サムスン電子は3次元トランジスタ構造のFinFET（フィンエフイーティー／立体構造トランジスタ）ロジックプロセスで本格的なチップ生産に入る。
サムスン電子は14日、14ナノメートルの第2世代FinFETプロセスでモバイルSOC（System on Chip）製品を本格的に量産すると明らかにした。
サムスン電子は昨年1月、業界初で14ナノメートル第1世代FinFETプロセスを採用し、「エクシノス7オクタ（Exynos 7 Octa）」を量産している。今年からは14ナノメートル第2世代プロセスをベースに「エクシノス8オクタ」と、クアルコム社の「スナップドラゴン820」を含むファウンドリー製品を同時に量産する。
14ナノメートル第2世代FinFETプロセスは、14ナノメートル第1世代よりも消費電力を15％削減し、性能は15％改善した。 14ナノFinFETプロセスはモバイル機器・IoT（モノのインターネット）向けに最適化された技術として評価されている。回路線幅の微細化を通じてトランジスタ性能を向上させて消費電力を削減するだけでなく、生産性も向上させることができる。
また、ネットワークと自動車用半導体の需要が大きくなるにつれて、より高い動作速度と低消費電力特性を必要とする市場も急成長しており、第2世代の14ナノメートルFinFETプロセスの採用分野は、今後はさらに拡大するとサムソン電子は予想した。
サムスン電子S.LSI事業部戦略マーケティングチームのペ・センゴン副社長は、「14ナノ第2世代プロセスに続いて向後は派生プロセスもまた開発し、モバイルSOC市場とファウンドリ市場をリードする」と語った。
サムスン電子は14日、14ナノメートルの第2世代FinFETプロセスでモバイルSOC（System on Chip）製品を本格的に量産すると明らかにした。
サムスン電子は昨年1月、業界初で14ナノメートル第1世代FinFETプロセスを採用し、「エクシノス7オクタ（Exynos 7 Octa）」を量産している。今年からは14ナノメートル第2世代プロセスをベースに「エクシノス8オクタ」と、クアルコム社の「スナップドラゴン820」を含むファウンドリー製品を同時に量産する。
14ナノメートル第2世代FinFETプロセスは、14ナノメートル第1世代よりも消費電力を15％削減し、性能は15％改善した。 14ナノFinFETプロセスはモバイル機器・IoT（モノのインターネット）向けに最適化された技術として評価されている。回路線幅の微細化を通じてトランジスタ性能を向上させて消費電力を削減するだけでなく、生産性も向上させることができる。
また、ネットワークと自動車用半導体の需要が大きくなるにつれて、より高い動作速度と低消費電力特性を必要とする市場も急成長しており、第2世代の14ナノメートルFinFETプロセスの採用分野は、今後はさらに拡大するとサムソン電子は予想した。
サムスン電子S.LSI事業部戦略マーケティングチームのペ・センゴン副社長は、「14ナノ第2世代プロセスに続いて向後は派生プロセスもまた開発し、モバイルSOC市場とファウンドリ市場をリードする」と語った。
- 毎日経済 デジタルニュース局 イ・サンギュ記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2016-01-14 09:22:16
