サムスン、NAND型フラッシュの超格差戦略を加速



  • サムスン電子の第5世代V NAND型フラッシュメモリ



サムスン電子は世界初で第5世代V NAND型フラッシュメモリ製品の量産に成功した。これは東芝やウェスタンデジタルあるいはSKハイニックスなどの競争相手よりも積層段数で6ヶ月以上先に進んでおり、サムスンの技術「超格差」戦略がまだ有効であることを示すものだ。

サムスン電子は10日、「第5世代V NAND型に独自開発した3つの革新技術を利用し、3次元CTFセルを90段以上積む世界最高の積層技術を開発して、5月から本格的に商用化している」と述べた。

サムスン電子が量産している第5世代V NAND型は、次世代NAND型インタフェースである「トグル(Toggle)DDR 4.0規格」を初めて採用した製品で、毎秒のデータ転送速度が第4世代と比較した場合に1.4倍の水準に達している。

サムスン電子のこの製品は、層をピラミッド状に積み上げて最上段から最下段まで垂直に直径数百ナノメートルの微細な穴をあけ、データを格納する「3次元円筒CTFセル」を850億個以上形成する歴代で最高難度の技術を投入した。これは爪よりも小さいサイズの空間に90階建て以上の建築物を10億個以上建てることと同様だというサムスン電子の説明だ。

これだけではなく、段数を上げるために比例して高くなるセル領域の高さを20%も下げるなど、第4世代の製品よりも生産性を30%以上高めた。これは同じサイズで保存できるデータ容量が多くなるという意味だ。

このように、製品の性能と生産性を最大化するために、サムスン電子は独自に持つ3大革新技術である、△高速・低電圧の動作回路設計、△高速リード&ライト応答待ち時間回路設計、△タングステン原子層薄膜プロセスなどを総動員した。高速・低電圧動作の回路設計でデータの入出力速度をこれまでの第4世代よりも1.4倍向上させながら、動作電圧は1.8Vから1.2Vに下げることができた。


  • NANDフラッシュメモリのシェア



あわせて高速の応答待ち時間回路設計技術を駆使して、データの高速書き込みを歴代最短レベルの1ビット当たり500マイクロ秒にまで引き上げ、第4世代V NAND型との比較で30%改善した。動作を停止した後の読み取り応答待ち時間も、第4世代に比較して50マイクロ秒に改善した。特に「タングステン原子層薄膜プロセス」でデータ(電流)を安定的に管理し、動作エラーを減らして読み取り範囲を広げた。

第5世代の量産製品は世界的なスーパーコンピュータ、企業サーバ、モバイル市場などでサムスン電子のリーダーシップをさらに強固にする見通しだ。揮発性メモリであるDRAMとは異なり、電源を切ってもデータが保存され、電子機器に写真や動画と音楽を保存して取り出すときに最適の半導体だ。

興味深い点は、今回の第5世代V NAND型量産性と関連して、サムスン電子は具体的な積層段数を公開しなかったという点だ。サムスン電子の関係者は、「積層段数は開発者の立場で意味があるもので、実際の商用化した製品では最高速度の実現と性能の安定性などがより重要だ」と説明した。

これに関連し、業界ではサムスンが東芝などの競合他社よりも積層段数は6ヶ月前後の技術格差を、実際の製品の機能面では1年以上、さらに大きな格差を維持しているとみている。東芝やSKハイニックスなどは、早ければ今年の末までに5世代V NAND型技術の開発を完了し、来年の上半期に製品の量産に突入すると予想される。

半導体市場調査機関のDRAMエクスチェンジによると、世界市場でシェア1位のサムスン電子の第1四半期のNAND製品の売上げは58億2000万ドルで、2・3位の東芝・ウェスタンデジタルを合わせたもの(54億ドル)よりも4億2000万ドル以上多い。

サムスン電子の関係者は、「高級メモリー市場でさらに差別化した製品とソリューションを選択できるようになった」とし、「1テラビット(Tb)製品などにV NAND型ラインナップを拡大して、次世代メモリ市場の変化を加速するだろう」と強調した。
  • 毎日経済_イ・ヂェチョル記者
  • 入力 2018-07-10 21:01:43.0

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