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SKハイニックス、中国工場を増設...DRAMの主導権固める
SKハイニックスの中国江蘇省の無錫半導体新工場が本格的に稼動に入る。装備を除いて半導体製造スペースの拡張のみに9500億ウォンが投入されたことが知られている今回のプロジェクトは、今後の半導体景気が存続するときに備えた先制的な措置とみられる。
SKハイニックスは18日、無錫市で既存のDRAM生産ラインのC2を拡張し、無錫拡張ファブ（C2F）の竣工式を開催した。 C2Fのクリーンルームの一部の工事を完了し、装備を入庫してDRAM生産を開始した。
現在は初期量産装置などが設置された状態であり、今後の市場の状況などを考慮して段階的に設備投資を行う計画だ。今回の拡張ファブはマイクロプロセスの切り替えにともなう生産スペース不足の問題を解決するために、2016年に生産ラインの拡張を決定し、2017年6月に着工した。カン・ヨンスSKハイニックス無錫工場担当専務は、「C2F竣工を通じて無錫工場の中・長期的な競争力を確保することになった」とし、「C2Fは既存のC2工場とOne FABのように運営することにより、無錫工場の生産と業務の効率を最大化するつもり」だと述べた。
今回竣工したC2Fは建築面積5万8000平方メートル（長さ316m×幅180m×高さ51m）の単層ファブで、既存のC2工場と同様の規模だ。今後、無錫ファブは10ナノメートルの後半、20ナノメートルの中・後半の製品を生産することになるが、これらのうちC2Fでは10ナノメートル後半の製品の生産補助の役割を担う。
市場調査機関のIHSマークィットと中国メディアによると、今後の装備の入庫が完了すると、SKハイニックス無錫工場のDRAM生産能力は、ウェーハを基準にして月に最大13万枚規模から18万枚規模に改善される。拡張ファブの生産ラインを最大に稼働する場合、KハイニックスのDRAM生産中の60～80％が無錫工場で生産されることがありうるという意味だ。
世界2位のDRAMメーカーであるSKハイニックスは、拡張ファブの稼働によってグローバル半導体市場で「規模の経済」を確保すれば、3位の米マイクロン社とのギャップをさらに広げることができるという分析が出ている。
ただし業界では現在のDRAM価格が供給過剰のせいで下落傾向を見せている点を勘案し、SKハイニックスが供給量の調節に乗り出すだろうという観測が優勢だ。
第2四半期までは投資速度を調節して、第3四半期以降に本格的に生産量を増やすだろうと予想する。 SKハイニックスは昨年の第4四半期のカンファレンスコールで、2019年のDRAM需要の成長率を10％台の中・後半とにらんでいると述べている。
DRAMエクスチェンジによると去る3月のDRAM固定取引価格（DDR4 8Gb基準）は、前月比で11.1％減の4.56ドルを記録した。このことから米マイクロン社はDRAMとNAND型フラッシュメモリを減算することを決定した。 SKハイニックスの関係者は「今後、追加のクリーンルーム工事と装備の入荷時期は、市況に応じて弾力的に決定する予定だ」と明らかにした。
先だってSKハイニックスは、2004年に無錫市と現地工場設立のための契約を締結し、2006年に生産ラインを完成してDRAMの生産を開始した。無錫工場（C2）はSKハイニックス初の300㎜半導体生産ラインで、SKハイニックスのDRAM生産量のうちの30～40％ほどを担当してきた。
しかしプロセスの微細化と装備の大型化でスペースが不足し、SKハイニックスは2017年6月から今年4月までに追加で半導体生産スペースを構築した。この日「新たな飛躍、新しい未来」をテーマに開かれた竣工式行事には、李小敏（リシャオミン）無錫市書記、郭元強（クォウィアンチャン）江蘇省副省長、チェ・ヨンサム上海総領事、イ・ソクフイSKハイニックス代表理事、協力社の代表など約500人が参加した。
グローバルな半導体スーパーサイクル（超好況）は終わったが、SKハイニックスは技術開発のための積極的な投資を続けている。 DRAM・NAND型フラッシュメモリ・ファウンドリにつながる「半導体三角成長軸」を構築し、半導体景気が存続するときに備えるという戦略だ。
SKハイニックス、中国工場を増設...DRAMの主導権固める
イ・ソクフイSKハイニックスCEOが18日、SKハイニックス中国無錫拡張ファブ（C2F）竣工式で歓迎の言葉を述べている。 写真提供＝SKハイニックス
SKハイニックスの中国江蘇省の無錫半導体新工場が本格的に稼動に入る。装備を除いて半導体製造スペースの拡張のみに9500億ウォンが投入されたことが知られている今回のプロジェクトは、今後の半導体景気が存続するときに備えた先制的な措置とみられる。
SKハイニックスは18日、無錫市で既存のDRAM生産ラインのC2を拡張し、無錫拡張ファブ（C2F）の竣工式を開催した。 C2Fのクリーンルームの一部の工事を完了し、装備を入庫してDRAM生産を開始した。
現在は初期量産装置などが設置された状態であり、今後の市場の状況などを考慮して段階的に設備投資を行う計画だ。今回の拡張ファブはマイクロプロセスの切り替えにともなう生産スペース不足の問題を解決するために、2016年に生産ラインの拡張を決定し、2017年6月に着工した。カン・ヨンスSKハイニックス無錫工場担当専務は、「C2F竣工を通じて無錫工場の中・長期的な競争力を確保することになった」とし、「C2Fは既存のC2工場とOne FABのように運営することにより、無錫工場の生産と業務の効率を最大化するつもり」だと述べた。
今回竣工したC2Fは建築面積5万8000平方メートル（長さ316m×幅180m×高さ51m）の単層ファブで、既存のC2工場と同様の規模だ。今後、無錫ファブは10ナノメートルの後半、20ナノメートルの中・後半の製品を生産することになるが、これらのうちC2Fでは10ナノメートル後半の製品の生産補助の役割を担う。
市場調査機関のIHSマークィットと中国メディアによると、今後の装備の入庫が完了すると、SKハイニックス無錫工場のDRAM生産能力は、ウェーハを基準にして月に最大13万枚規模から18万枚規模に改善される。拡張ファブの生産ラインを最大に稼働する場合、KハイニックスのDRAM生産中の60～80％が無錫工場で生産されることがありうるという意味だ。
世界2位のDRAMメーカーであるSKハイニックスは、拡張ファブの稼働によってグローバル半導体市場で「規模の経済」を確保すれば、3位の米マイクロン社とのギャップをさらに広げることができるという分析が出ている。
ただし業界では現在のDRAM価格が供給過剰のせいで下落傾向を見せている点を勘案し、SKハイニックスが供給量の調節に乗り出すだろうという観測が優勢だ。
第2四半期までは投資速度を調節して、第3四半期以降に本格的に生産量を増やすだろうと予想する。 SKハイニックスは昨年の第4四半期のカンファレンスコールで、2019年のDRAM需要の成長率を10％台の中・後半とにらんでいると述べている。
DRAMエクスチェンジによると去る3月のDRAM固定取引価格（DDR4 8Gb基準）は、前月比で11.1％減の4.56ドルを記録した。このことから米マイクロン社はDRAMとNAND型フラッシュメモリを減算することを決定した。 SKハイニックスの関係者は「今後、追加のクリーンルーム工事と装備の入荷時期は、市況に応じて弾力的に決定する予定だ」と明らかにした。
先だってSKハイニックスは、2004年に無錫市と現地工場設立のための契約を締結し、2006年に生産ラインを完成してDRAMの生産を開始した。無錫工場（C2）はSKハイニックス初の300㎜半導体生産ラインで、SKハイニックスのDRAM生産量のうちの30～40％ほどを担当してきた。
しかしプロセスの微細化と装備の大型化でスペースが不足し、SKハイニックスは2017年6月から今年4月までに追加で半導体生産スペースを構築した。この日「新たな飛躍、新しい未来」をテーマに開かれた竣工式行事には、李小敏（リシャオミン）無錫市書記、郭元強（クォウィアンチャン）江蘇省副省長、チェ・ヨンサム上海総領事、イ・ソクフイSKハイニックス代表理事、協力社の代表など約500人が参加した。
グローバルな半導体スーパーサイクル（超好況）は終わったが、SKハイニックスは技術開発のための積極的な投資を続けている。 DRAM・NAND型フラッシュメモリ・ファウンドリにつながる「半導体三角成長軸」を構築し、半導体景気が存続するときに備えるという戦略だ。
- 毎日経済＿ヨン・ファンヂン記者／ファン・スンミン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2019-04-18 18:19:07
