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サムスン電子、ライン最適化などでメモリ「減算効果」狙う
サムスン電子は世界の情報通信技術（ICT）会社の需要鈍化などによるメモリ（D-RAMやNAND型フラッシュ）不況にもかかわらず、ウェハ投入をわざわざ減らす「人為減産」はしないとの立場を明らかにしたが、生産ラインの最適化、工程切り替えなどの過程で、弾力的に一部の減産効果が表われることがあるという分析が出ている。
生産ラインの効率を高めたり、工程の切り替えのために装備移転などが行われ、ラインが一時的に停止して生産が中断されるが、サムスン電子がこの操作を好況期よりもメモリの需要・価格が不振の時期に積極的に進めることがありうるというものだ。またサムスン電子は昨年第2四半期から一部のDRAM生産ラインを、イメージセンサー（外部の視覚イメージをデジタル信号に変換するチップ）ラインに切り替えたが、イメージセンサーの需要増加に応じて追加のライン切り替えが行われるとの見通しも出ている。
サムスン証券は投資報告書を通じて、「先月31日にサムスン電子が第2四半期の業績を発表した後のコンファレンスコールでは、メモリ半導体の人為的ウェハ投入の減少はないと明らかにして、一部の投資家がサムスンの供給戦略に疑問を提起している」とし、「サムスンが言いたいたのは人為的にウェハ投入を減らすよりも、ラインの効率化や工程の切り替えを通じて生産量と在庫を減らしていくという意味に解釈できる」と述べた。
サムスン証券のファン・ミンソン研究員は「（サムスン電子の発表は）SKハイニックスとマイクロンが積極的な減算意志を明らかにした状態で、3社協力して価格を調整することがありうるという疑いを払拭させる意図もあると解釈される」と説明した。サムスン電子の全世原（チョン・セウォン）副社長は先月31日、カンファレンスコールでメモリ生産と関連した質問を受け、「現在としては人為的なウェハ投入の減少については検討していない」と言いながらも、「サムスン電子は半導体需要の変動に応じて生産ラインを弾力的に運用する」と述べた。専門家らは「弾力的運用」という表現に注目している。弾力的運用がラインの最適化や工程の切り替えなどを行うことがあるという意味に解釈されるというものだ。
半導体プロセスでは、既存のラインに非効率があることを確認し、これをより効率的にアップグレードすることは「最適化」と表現する。ライン最適化のためには、小さなところは部品・素材を変えたり、大きくは機材の配置などを変えるが、この過程で一時的にラインが止まって生産が中断されることがおこりうる。また工程よりも高い技術レベルを適用化は、「切り替え」作業をする時も装備や工程の流れなどを新たにセッティングする必要がありラインが止まることがありうる。
半導体業界の関係者は、「半導体生産ラインをチェックし、最適化・効率化などを供給が不足している好況期よりもメモリの需要不振が起きているときにより積極的に進めるという意味が、弾力的運営に含まれているものと見られる」とし、「これによって人為的減産ではなく、自然な生産量の減少効果を出すものと見られる」と分析した。
サムスン電子の減産の余地は、生産ラインの切り替えにも見ることができる。チョン・セウォン副社長は京畿道の華城12ラインについて、「NAND型の需要がプンナー（相対的に価格・技術が低い製品）からV NAND型中心に切り替わるによって、上半期から一部のプラナーキャパ（生産能力）を研究開発（R＆D）に切り替えている」と述べた。 NAND型で多少の減産効果があることを示唆している部分だ。
チョン副社長はまた、「イメージセンサー専用ラインであるS4は、マルチカメラ（携帯電話などカメラを複数搭載）の増加に応じて追加増設を計画している」と述べた。サムスン電子は昨年第2四半期から華城11ライン（DRAM生産）の一部をイメージセンサーの生産ライン（S4）に転換した。 S4を追加増設するという話は、11ラインのDRAM生産設備をイメージセンサーラインにより転換するという意味に解釈される。この過程で自然にDRAM生産が一部減少することがおこると予想される。
チョン副社長は「来年の投資計画が完了していないが、市況に合わせて効率的に投資を執行する」とし、「さいきん対外環境の不確実性が大きくなっただけに、弾力投資の執行が非常に重要だと判断され、投資検討の頻度を増やし、市場の変動状況に可能な限り迅速に対応するために努力する」と述べた。
漢陽大学融合電子工学部のパク・チェグン教授は「現在、サムスン電子のDRAMラインは2017～2018年のスーパー好況時の生産能力を備えているが、メモリ需要が減り、在庫も積み上がっている」とし、「ファーウェイへの規制で5Gの切り替えが遅れ、半導体の交換需要も予想より遅れるものとみられる」と説明した。
グローバルなICTベンダーの需要不振と米・中貿易紛争などの影響で、昨年の第4四半期からDRAM価格が下落傾向を見せるなど、メモリ不況が続いている。DRAMエクスチェンジによると、7月のDRAM価格（DDR4 8Gb固定取引）は2.94ドルで、前月比で11.18％急落し下落を続けた。メモリ不況でSKハイニックスと米マイクロンなどはすでに減産計画を発表した。
SKハイニックスは一部のDRAMラインをイメージセンサーラインに切り替えることにしたし、ウェハ投入量も年間15％ほど削減することにした。
サムスン電子、ライン最適化などでメモリ「減算効果」狙う
サムスン電子は世界の情報通信技術（ICT）会社の需要鈍化などによるメモリ（D-RAMやNAND型フラッシュ）不況にもかかわらず、ウェハ投入をわざわざ減らす「人為減産」はしないとの立場を明らかにしたが、生産ラインの最適化、工程切り替えなどの過程で、弾力的に一部の減産効果が表われることがあるという分析が出ている。
生産ラインの効率を高めたり、工程の切り替えのために装備移転などが行われ、ラインが一時的に停止して生産が中断されるが、サムスン電子がこの操作を好況期よりもメモリの需要・価格が不振の時期に積極的に進めることがありうるというものだ。またサムスン電子は昨年第2四半期から一部のDRAM生産ラインを、イメージセンサー（外部の視覚イメージをデジタル信号に変換するチップ）ラインに切り替えたが、イメージセンサーの需要増加に応じて追加のライン切り替えが行われるとの見通しも出ている。
サムスン証券は投資報告書を通じて、「先月31日にサムスン電子が第2四半期の業績を発表した後のコンファレンスコールでは、メモリ半導体の人為的ウェハ投入の減少はないと明らかにして、一部の投資家がサムスンの供給戦略に疑問を提起している」とし、「サムスンが言いたいたのは人為的にウェハ投入を減らすよりも、ラインの効率化や工程の切り替えを通じて生産量と在庫を減らしていくという意味に解釈できる」と述べた。
サムスン証券のファン・ミンソン研究員は「（サムスン電子の発表は）SKハイニックスとマイクロンが積極的な減算意志を明らかにした状態で、3社協力して価格を調整することがありうるという疑いを払拭させる意図もあると解釈される」と説明した。サムスン電子の全世原（チョン・セウォン）副社長は先月31日、カンファレンスコールでメモリ生産と関連した質問を受け、「現在としては人為的なウェハ投入の減少については検討していない」と言いながらも、「サムスン電子は半導体需要の変動に応じて生産ラインを弾力的に運用する」と述べた。専門家らは「弾力的運用」という表現に注目している。弾力的運用がラインの最適化や工程の切り替えなどを行うことがあるという意味に解釈されるというものだ。
半導体プロセスでは、既存のラインに非効率があることを確認し、これをより効率的にアップグレードすることは「最適化」と表現する。ライン最適化のためには、小さなところは部品・素材を変えたり、大きくは機材の配置などを変えるが、この過程で一時的にラインが止まって生産が中断されることがおこりうる。また工程よりも高い技術レベルを適用化は、「切り替え」作業をする時も装備や工程の流れなどを新たにセッティングする必要がありラインが止まることがありうる。
半導体業界の関係者は、「半導体生産ラインをチェックし、最適化・効率化などを供給が不足している好況期よりもメモリの需要不振が起きているときにより積極的に進めるという意味が、弾力的運営に含まれているものと見られる」とし、「これによって人為的減産ではなく、自然な生産量の減少効果を出すものと見られる」と分析した。
サムスン電子の減産の余地は、生産ラインの切り替えにも見ることができる。チョン・セウォン副社長は京畿道の華城12ラインについて、「NAND型の需要がプンナー（相対的に価格・技術が低い製品）からV NAND型中心に切り替わるによって、上半期から一部のプラナーキャパ（生産能力）を研究開発（R＆D）に切り替えている」と述べた。 NAND型で多少の減産効果があることを示唆している部分だ。
チョン副社長はまた、「イメージセンサー専用ラインであるS4は、マルチカメラ（携帯電話などカメラを複数搭載）の増加に応じて追加増設を計画している」と述べた。サムスン電子は昨年第2四半期から華城11ライン（DRAM生産）の一部をイメージセンサーの生産ライン（S4）に転換した。 S4を追加増設するという話は、11ラインのDRAM生産設備をイメージセンサーラインにより転換するという意味に解釈される。この過程で自然にDRAM生産が一部減少することがおこると予想される。
チョン副社長は「来年の投資計画が完了していないが、市況に合わせて効率的に投資を執行する」とし、「さいきん対外環境の不確実性が大きくなっただけに、弾力投資の執行が非常に重要だと判断され、投資検討の頻度を増やし、市場の変動状況に可能な限り迅速に対応するために努力する」と述べた。
漢陽大学融合電子工学部のパク・チェグン教授は「現在、サムスン電子のDRAMラインは2017～2018年のスーパー好況時の生産能力を備えているが、メモリ需要が減り、在庫も積み上がっている」とし、「ファーウェイへの規制で5Gの切り替えが遅れ、半導体の交換需要も予想より遅れるものとみられる」と説明した。
グローバルなICTベンダーの需要不振と米・中貿易紛争などの影響で、昨年の第4四半期からDRAM価格が下落傾向を見せるなど、メモリ不況が続いている。DRAMエクスチェンジによると、7月のDRAM価格（DDR4 8Gb固定取引）は2.94ドルで、前月比で11.18％急落し下落を続けた。メモリ不況でSKハイニックスと米マイクロンなどはすでに減産計画を発表した。
SKハイニックスは一部のDRAMラインをイメージセンサーラインに切り替えることにしたし、ウェハ投入量も年間15％ほど削減することにした。
- 毎日経済＿キム・ギュシク記者／チョン・ギョンウン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2019-08-01 19:44:42
