SKハイニックス「HBM2E」高速DRAMを開発



SKハイニックスは12日、これまでのDRAMよりもデータ処理速度を大幅に引き上げた、業界最高速のDRAMの開発に成功したと明らかにした。今回開発した「HBM2E DRAM」は、これまでの高帯域幅メモリ(HBM/High Bandwidth Memory)規格である「HBM2 DRAM」よりも処理速度を50%高めた次世代の製品だ。

今回の製品は3.6Gb(ギガビット)の処理速度を通じて、GB(ギガバイト)換算時には毎秒460GBのデータを処理することができる。これは3.7GB容量のフルHD級映画124編を1秒で処理できるレベルだとSKハイニックスは説明した。既存製品のデータ処理速度は秒約307GBレベルだ。

HBM DRAMはシリコン貫通電極(TSV/Through Silicon Via)技術を活用して、既存のDRAMよりもデータ処理速度を大幅に高めた高性能な製品だ。 TSVはDRAMチップに微細な数千個の穴を開け、上層と下層チップの穴を垂直に貫通した電極に相互接続する技術だ。一般的に、従来の方法よりもサイズは30%以上、消費電力は50%以上、それぞれ減少する効果が発生する。容量は、単一の製品基準16Gbで、SKハイニックスは16Gbチップ8つをTSV技術で垂直連結し、16GBを実現した。

今回の新製品は超高速データ処理に適した高付加価値製品で、大容量のデータを同時に処理するグラフィック処理ユニット(GPU)を中心に需要が発生すると思われる。今後、大容量のグラフィック処理を並行するマシンラーニングやスーパーコンピュータ、人工知能(AI)だどの第4次産業ベースのシステムでの利用率が増えると予想される。

HBMはメモリチップをモジュールとして作成してマザーボードに接続する従来の方式ではなく、チップ自体をGPUなどに数十マイクロメートル水準の間隔で装着し、チップ間の距離を短縮させてより高速なデータ処理が可能だ。

SKハイニックスは、今年1月に米国ラスベガスで開催された世界最大の情報技術(IT)・家電博覧会であるCESで、グループ系列会社と共同展示館を設けて次世代HBM半導体を披露するなど、グローバルなマーケティングを強化している。チョン・ジュンヒョンSKハイニックスHBM事業戦略担当は、「SKハイニックスは2013年に世界初のHBM DRAMを発売して以来、これまでの技術競争力を土台に市場をリードした」とし、「HBM2E市場が開かれる2020年から本格的に量産を開始して、プレミアムメモリ市場でのリーダーシップを継続して強化する」と説明した。

一方、サムスン電子も今年3月に米カリフォルニア州で開催されたNVIDIAのGPU技術カンファレンスでHBM2E DRAMを公開している。
  • 毎日経済_チョン・ギョンウン記者 | (C) mk.co.kr
  • 入力 2019-08-13 07:01:54