トップ > 数字経済 > 企業 > サムスン電子、3ナノプロセス技術を開発…世界初

サムスン電子、3ナノプロセス技術を開発…世界初

2030年のシステム半導体の世界1位青信号 

サムスン電子は世界初で3ナノメートル(1ナノメートルは10億分の1メートル)の超微細半導体プロセス技術の開発に成功した。超微細プロセス技術で競合他社を圧倒し、2030年にシステム半導体でも世界1位を達成するというサムスン電子の中長期ビジョンも「青信号」が灯った。

2日のサムスン電子によると、李在鎔(イ・ヂェヨン)副会長はこの日に華城事業場内の半導体研究所を訪問し、サムスン電子が世界に先駆けて開発した3ナノメートルプロセス技術の報告を受け、サムスン電子の半導体事業を担当するデバイスソリューション(DS)部門の社長団と一緒に次世代の半導体戦略を議論した。

この日の会議にはDS部門長である金奇南(キム・ギナム)副会長をはじめ、鄭殷昇(チョン・ウンスン)ファウンドリ事業社長、秦教英(チン・ギョヨン)メモリー事業部社長、カン・インヨプ システムLSI事業部社長、カン・ホギュ半導体研究所長(副社長)などの主要な経営陣がすべて参席した。

3ナノ半導体プロセス技術は、半導体微細化の限界を克服できる次世代技術の「GAA(Gate-All-Around)」が採用された。 GAAは回路のすべての面が電流を制御するゲートに接触した構造で、最近にサムスン電子がプロセスの開発を完了した5ナノメートル製品に比べてチップ面積を35%削減すると同時に、消費電力を50%削減しながらも処理速度は約30 %向上させることができる。

サムスン電子は競合他社との技術格差を1年以上も広げるものと期待している。李副会長が新年最初の現場経営の目的地として華城半導体研究所を訪れたのは、メモリに続いてシステム半導体分野でも世界1位になるというビジョンを社員と再び共有し、目標達成の意志を再び固めたものだとサムスン電子は説明した。李副会長はプロセス開発の成果の報告を受けて、「過去の実績が未来の成功を保証しない」とし、「歴史は待つのではなく作っていくものだ。誤った慣行と思考は思い切って廃棄し、新しい未来を開拓していこう」と述べた。
  • 毎日経済_チョン・ギョンウン記者/ファン・スンミン記者 | (C) mk.co.kr
  • 入力 2020-01-02 15:16:12




      • facebook icon
      • twetter icon
      • RSSFeed icon
      • もっと! コリア