トップ > コリアナウ > Korea Now > 「半導体コリア連合軍」危機突破に素早い対応
「半導体コリア連合軍」危機突破に素早い対応
サムスン電子とSKハイニックスで構成された「半導体コリア連合軍」は、最近直面した「パーフェクトストーム」（大小の悪材料が同時多発的に起こった超大型の危機）突破のための素早い対応に乗り出している。
いま韓国半導体市場はひと言で言うと最悪の状況に置かれている。メモリー半導体の価格が予想よりも大幅に低下し、需要回復のレベルが期待に及ばず価格の下落局面が続いているからだ。これに加えて米・中貿易戦争が長期化するうえに、日本の半導体革新素材の対韓輸出規制まで重なり、事態はさらに悪化している。
このような市場の状況は、各社の実績にそのまま反映された。去る25日、第2四半期の成績表を受けとったSKハイニックスは、営業利益が前年同期（5兆5739億ウォン）に比べて89％減少した6376億ウォンを記録した。当初の予測値（7441億ウォン）よりも1000億ウォンほど低いレベルであり、四半期の黒字が1兆ウォンを下回ったことも2016年第3四半期（7260億ウォン）以来の11四半期ぶりのことだ。
来る31日に確定実績を発表するサムスン電子半導体部門の営業利益は、3兆3500億ウォン前後と推定されている。このままではサムスン電子半導体部門の営業利益は、前年同期（11兆6130億ウォン）に比べて71％ほど減るだろう。
実績が予想よりも不振な状況に加え、内外の複数の悪材料で不確実性が大きくなり、サムスン電子とSKハイニックスは危機対応に乗り出している。各社は超格差技術の確保と生産調整を通じて、市場環境の変化に効果的に対処する方針だ。
まずSKハイニックスは去る25日、DRAMとNAND型フラッシュメモリの生産と投資を調整する計画だと公式に発表した。事実上の減算だ。 SKハイニックスはすでに上半期に生産調整計画を一部明らかにしたが、この日の発表は調整対象の生産ラインや投資計画と実行時期などが大幅にかつ具体的に含まれていた。
主な内容はこうだ。利川M10工場のDRAM生産設備の一部をCIS（CMOSイメージセンサー）の量産用に切り替えて、NAND型フラッシュメモリのウェハ投入量を前年比で15％以上削減する。また清州M15工場へのクリーンルーム追加の見直しなどだ。
加えて、来年下半期に竣工予定の利川M16工場への設備搬入時期も、需要状況を考慮して再検討する計画だ。来年の投資額も今年より減ること予告したように、中・長期戦略の次元の布石であることを確認した。
「人為的な生産調整はない」という原則を固守しているサムスン電子は最近の市場の状況にもかかわらず、これを重ねて強調している。しかし工程の切り替えなどを通じて自然に品目別の生産量を調整することは可能だという立場なので、市場の需要に応じてメモリの生産ラインを弾力的に運用するものと予想される。
両社は製品開発と発売を急ぎながら、技術における超格差を確保する計画だ。実際にサムスン電子は最近、歴代最高速度のモバイルDRAMである12GB LPDDR5モバイルDRAMパッケージを量産すると発表した。 SKハイニックスも先月、世界初の128段4D NAND型フラッシュメモリの量産を発表した。
二社は日本の対韓輸出規制による対応にも熱心だ。業界によると、サムスン電子とSKハイニックスは最近、高純度フッ化水素（エッチングガス）に対する他国企業の製品の品質性能試験に着手した状態だ。いままさにテスト段階なので、生産工程に最終的に適用されるかは未知数だ。
半導体業界の関係者は、「現在は生産性テスト段階であり、生産工程に適用されたというのは事実ではない」とし、「テスト期間を短く見積もっても少なくとも2～3ヶ月はかかり、実際のラインに適用できるかも今のところ推し量るのは難しい」と述べた。
日本の経済産業部は今月初めにフォトレジスト、フッ化水素、フッ素ポリイミドなど3品目の対韓輸出規制を実施した。特にウェハを洗浄したり回路を刻むために活用される高純度フッ化水素であるエッチングガスは、規制に乗り出した3つの素材の中で最も代替しにくい項目としてあげられる。
一方、サムスン電子とSKハイニックスのトップらは最近、輸出規制の解決法を整えるために相次いで日本出張の途に就いた。サムスン電子のイ・ジェヨン副会長は7日から12日までの5泊6日の間の日程で日本出張を行ってきた。イ・ソクヒSKハイニックス社長は21日、現地の協力社の幹部に会うために出国した後、23日に帰国した。先立って16日にはキム・ドンソプ社長も日本に出国し、現地の状況を点検している。
いま韓国半導体市場はひと言で言うと最悪の状況に置かれている。メモリー半導体の価格が予想よりも大幅に低下し、需要回復のレベルが期待に及ばず価格の下落局面が続いているからだ。これに加えて米・中貿易戦争が長期化するうえに、日本の半導体革新素材の対韓輸出規制まで重なり、事態はさらに悪化している。
このような市場の状況は、各社の実績にそのまま反映された。去る25日、第2四半期の成績表を受けとったSKハイニックスは、営業利益が前年同期（5兆5739億ウォン）に比べて89％減少した6376億ウォンを記録した。当初の予測値（7441億ウォン）よりも1000億ウォンほど低いレベルであり、四半期の黒字が1兆ウォンを下回ったことも2016年第3四半期（7260億ウォン）以来の11四半期ぶりのことだ。
来る31日に確定実績を発表するサムスン電子半導体部門の営業利益は、3兆3500億ウォン前後と推定されている。このままではサムスン電子半導体部門の営業利益は、前年同期（11兆6130億ウォン）に比べて71％ほど減るだろう。
サムスン電子半導体部門とSKハイニックスの営業利益の推移 資料編集：キム・スンハン記者
実績が予想よりも不振な状況に加え、内外の複数の悪材料で不確実性が大きくなり、サムスン電子とSKハイニックスは危機対応に乗り出している。各社は超格差技術の確保と生産調整を通じて、市場環境の変化に効果的に対処する方針だ。
まずSKハイニックスは去る25日、DRAMとNAND型フラッシュメモリの生産と投資を調整する計画だと公式に発表した。事実上の減算だ。 SKハイニックスはすでに上半期に生産調整計画を一部明らかにしたが、この日の発表は調整対象の生産ラインや投資計画と実行時期などが大幅にかつ具体的に含まれていた。
主な内容はこうだ。利川M10工場のDRAM生産設備の一部をCIS（CMOSイメージセンサー）の量産用に切り替えて、NAND型フラッシュメモリのウェハ投入量を前年比で15％以上削減する。また清州M15工場へのクリーンルーム追加の見直しなどだ。
加えて、来年下半期に竣工予定の利川M16工場への設備搬入時期も、需要状況を考慮して再検討する計画だ。来年の投資額も今年より減ること予告したように、中・長期戦略の次元の布石であることを確認した。
「人為的な生産調整はない」という原則を固守しているサムスン電子は最近の市場の状況にもかかわらず、これを重ねて強調している。しかし工程の切り替えなどを通じて自然に品目別の生産量を調整することは可能だという立場なので、市場の需要に応じてメモリの生産ラインを弾力的に運用するものと予想される。
両社は製品開発と発売を急ぎながら、技術における超格差を確保する計画だ。実際にサムスン電子は最近、歴代最高速度のモバイルDRAMである12GB LPDDR5モバイルDRAMパッケージを量産すると発表した。 SKハイニックスも先月、世界初の128段4D NAND型フラッシュメモリの量産を発表した。
二社は日本の対韓輸出規制による対応にも熱心だ。業界によると、サムスン電子とSKハイニックスは最近、高純度フッ化水素（エッチングガス）に対する他国企業の製品の品質性能試験に着手した状態だ。いままさにテスト段階なので、生産工程に最終的に適用されるかは未知数だ。
李在鎔（イ・ヂェヨン）サムスン電子副会長（左）と李錫熙（イ・ソッキ）SKハイニックス社長。 写真提供＝毎経DBおよびSKハイニックス
半導体業界の関係者は、「現在は生産性テスト段階であり、生産工程に適用されたというのは事実ではない」とし、「テスト期間を短く見積もっても少なくとも2～3ヶ月はかかり、実際のラインに適用できるかも今のところ推し量るのは難しい」と述べた。
日本の経済産業部は今月初めにフォトレジスト、フッ化水素、フッ素ポリイミドなど3品目の対韓輸出規制を実施した。特にウェハを洗浄したり回路を刻むために活用される高純度フッ化水素であるエッチングガスは、規制に乗り出した3つの素材の中で最も代替しにくい項目としてあげられる。
一方、サムスン電子とSKハイニックスのトップらは最近、輸出規制の解決法を整えるために相次いで日本出張の途に就いた。サムスン電子のイ・ジェヨン副会長は7日から12日までの5泊6日の間の日程で日本出張を行ってきた。イ・ソクヒSKハイニックス社長は21日、現地の協力社の幹部に会うために出国した後、23日に帰国した。先立って16日にはキム・ドンソプ社長も日本に出国し、現地の状況を点検している。
- 毎日経済デジタルニュース局＿キム・スンハン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2019-07-27 19:07:09
