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サムスン電子とSKハイニックスが、来年に出る新しいスマートフォンに搭載される、次世代モバイルメモリを世界で初めて開発したと同時に宣言した。20年以上互いに競争しながら発展してきた両社が、モバイル分野で再度激突したものだ。二つの業者は激しく競争しているが、これにより韓国の半導体技術は、もう一度飛躍的な発展をするものと期待される。これはグローバル市場を先導する結果につながる。
サムスン電子とSKハイニックスは、20ナノ級技術を適用した8Gb(ギガバイト)LPDDR4(低電力DDR4)モバイルDラムを世界で初めて開発したと30日、明らかにした。よりによって両社は同じ日に同じ性能の製品を公開した。
性能も同一だ。既存のモバイルDラム(LPDDR3)データ伝送速度(1600Mbps)に比べ2倍速く(3200Mbps)動作電圧も既存のLPDDR3の1.2ボルト(V)対比低い1.1Vを具現し、消費電力を40%下げた。
この製品は、UHD級動画を撮影し伝送できる来年スマートフォンに搭載される予定だ。モバイルDラムは、来年DDR3からDDR4へ世代交代を断行することになり、サムスン電子とSKハイニックスがこの市場を導くことができるようになった。
半導体業界では、SKハイニックスが今年に入り「技術力」をきちんと誇示しながらDラム分野で技術と市場すべて圧倒的に掌握したサムスン電子を緊張させていることに対し、歓迎している。
去る10月には、サムスン電子より先に6GbLPDDR3を世界で初めて出し、去る26日にも業界で初めて新技術(シリコン貫通電極、TSV)を適用し、速度は4倍速いが電力消費は40％減らした新しいDラムを開発したと発表もした。
SKハイニックスのマーケティング本部長のチン・ジョンフン氏（専務）は、「次世代モバイル標準であるLPDDR4製品を世界で初めて開発し、顧客にサンプルを提供し技術リーダーシップを固めた」とし「今後、高容量、超高速、低電力製品開発を通じモバイル分野競争力を強化する」と説明した。
これに対しサムスン電子は、半導体産業は寡占状態に進入したためこれからは「開発」より「量産」と「搭載」が重要な時期になったという点を強調した。
サムスン電子関係者は「全ての市場先導製品に対する技術開発は終えたが、業界を先導しているため開発時点よりは量産時点で発表をするのが合うと見る」とし「開発はできるが製品に大量搭載される時点がさらに重要だ」と強調した。
速度2倍速いモバイルDラム世界初開発
サムスン電子・SKハイニックス同時公開…来年UHDスマートフォンに搭載予定
◆韓国IT企業技術戦争2題◆
サムスン電子とSKハイニックスは、20ナノ級技術を適用した8Gb(ギガバイト)LPDDR4(低電力DDR4)モバイルDラムを世界で初めて開発したと30日、明らかにした。よりによって両社は同じ日に同じ性能の製品を公開した。
性能も同一だ。既存のモバイルDラム(LPDDR3)データ伝送速度(1600Mbps)に比べ2倍速く(3200Mbps)動作電圧も既存のLPDDR3の1.2ボルト(V)対比低い1.1Vを具現し、消費電力を40%下げた。
この製品は、UHD級動画を撮影し伝送できる来年スマートフォンに搭載される予定だ。モバイルDラムは、来年DDR3からDDR4へ世代交代を断行することになり、サムスン電子とSKハイニックスがこの市場を導くことができるようになった。
半導体業界では、SKハイニックスが今年に入り「技術力」をきちんと誇示しながらDラム分野で技術と市場すべて圧倒的に掌握したサムスン電子を緊張させていることに対し、歓迎している。
去る10月には、サムスン電子より先に6GbLPDDR3を世界で初めて出し、去る26日にも業界で初めて新技術(シリコン貫通電極、TSV)を適用し、速度は4倍速いが電力消費は40％減らした新しいDラムを開発したと発表もした。
SKハイニックスのマーケティング本部長のチン・ジョンフン氏（専務）は、「次世代モバイル標準であるLPDDR4製品を世界で初めて開発し、顧客にサンプルを提供し技術リーダーシップを固めた」とし「今後、高容量、超高速、低電力製品開発を通じモバイル分野競争力を強化する」と説明した。
これに対しサムスン電子は、半導体産業は寡占状態に進入したためこれからは「開発」より「量産」と「搭載」が重要な時期になったという点を強調した。
サムスン電子関係者は「全ての市場先導製品に対する技術開発は終えたが、業界を先導しているため開発時点よりは量産時点で発表をするのが合うと見る」とし「開発はできるが製品に大量搭載される時点がさらに重要だ」と強調した。
- 毎日経済_ソン・ジェクォン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2013-12-30 17:14:53
