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キム・ギナム社長、サムスン半導体10ナノFinFETを公開
サムスン電子は10ナノメートルプロセス技術を確保したことに続き、それ以下のプロセスの開発にも積極的に乗り出す。競合他社がけっして見くびることのできない技術的なリーダーシップを構築するという戦略だ。
サムスン電子のキム・ギナム半導体総括社長は23日（現地時間）、米サンフランシスコで開催されたISSCC（国際固体回路学会）で、10ナノ級DRAMの要素技術と10ナノFinFETなどの次世代半導体技術を紹介した。10ナノは半導体回路の幅が1億分の1メートルという意味だ。
キム・ギナム社長はこの日、「半導体の微細化技術に限界はなく、シリコン半導体の技術革新は引き続き、未来にも半導体産業により多くの機会が与えられるだろう」と説明した。今後もプロセス微細化のための技術的挑戦を持続するという意志を表明したものだ。
10ナノ級DRAMプロセスは、半導体業界で「限界突破」と評価される。
サムスン電子は昨年、20ナノDプロセスRAMの量産に成功した時には、これ以上の微細プロセスは不可能だという意見が支配的だった。しかし、サムスンは市場の予想に反して超微細プロセスの開発に成功したわけだ。システム半導体分野でもサムスン電子は最近、世界初で14ナノFinFETモバイルアプリケーションプロセッサ（AP）の量産に成功したことに続き、今回の10ナノFinFET技術の開発に成功したことで、TSMCなどの競合他社との格差をさらに広げることができるようになった。
サムスン電子のキム・ギナム半導体総括社長は23日（現地時間）、米サンフランシスコで開催されたISSCC（国際固体回路学会）で、10ナノ級DRAMの要素技術と10ナノFinFETなどの次世代半導体技術を紹介した。10ナノは半導体回路の幅が1億分の1メートルという意味だ。
キム・ギナム社長はこの日、「半導体の微細化技術に限界はなく、シリコン半導体の技術革新は引き続き、未来にも半導体産業により多くの機会が与えられるだろう」と説明した。今後もプロセス微細化のための技術的挑戦を持続するという意志を表明したものだ。
10ナノ級DRAMプロセスは、半導体業界で「限界突破」と評価される。
サムスン電子は昨年、20ナノDプロセスRAMの量産に成功した時には、これ以上の微細プロセスは不可能だという意見が支配的だった。しかし、サムスンは市場の予想に反して超微細プロセスの開発に成功したわけだ。システム半導体分野でもサムスン電子は最近、世界初で14ナノFinFETモバイルアプリケーションプロセッサ（AP）の量産に成功したことに続き、今回の10ナノFinFET技術の開発に成功したことで、TSMCなどの競合他社との格差をさらに広げることができるようになった。
- 毎日経済_チョン・スンファン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2015-02-24 17:25:00
