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サムスン電子、夢の半導体「MRAM」を来年商用化


サムスン電子は今よりも1000倍も高速の夢の半導体「MRAM(磁気抵抗メモリ)」を来年から商用化すると宣言した。

サムスン電子は24日(現地時間)、米国サンタクララで「サムスンファウンドリフォーラム」を開き、「2018年からMRAMの技術を採用し、新しいプラットフォームを作るつもり」だと明らかにした。 MRAM技術を適用すると、これまでのプロセスで製造した半導体よりも保存できる情報量がはるかに多くなり、情報の処理速度も比較できないほど速くなる。半導体業界の関係者は、「半導体回路を構成するプロセスルールがあまりにも細くなって、これまでの半導体製造プロセスではもはや集積度を高めるのは難しい」とし、「競争走者のうちのサムスン電子が最初に次世代半導体技術の商用化を発表した」と語った。

サムスン電子は半導体プロセスを2020年までに4ナノメートル(10億分の4メートル)にまで下げ、現在の露光装置で実現できる最も競争力のあるプロセスルールである8ナノLPP(Low Power Plus)プロセスの開発を今年に完了すると発表した。

サムスン電子ファウンドリ事業部のユン・ヂョンシク副社長は、「サムスン電子は広範囲の最尖端プロセスロードマップを保有しているファウンドリパートナーとして、顧客に最適のカスタムソリューションを提供するだろう」と述べた。

サムスン電子はファウンドリ顧客やビジネスパートナーとの協力を強化するために、昨年から韓・米・中でファウンドリフォーラムを開いている。この日の行事はサムスン電子が12日にファウンドリ(半導体受託生産)事業部を発足した後に初めて開かれたイベントで、顧客とパートナー社の関係者など400人あまりが参加した。
  • 毎日経済_キム・ドンウン記者/イ・ドンイン記者 | (C) mk.co.kr
  • 入力 2017-05-25 17:31:12




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