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サムスン電子「embeded MRAM」開発
DRAMとNAND型の利点を結合
サムスン電子はDRAMのように迅速で、フラッシュメモリのように電源を切ってもデータの消えない次世代半導体チップ「埋め込み型Mラム（eMRAM／embeded MRAM）」を開発することに成功した。サムスン電子は埋め込み型MRAMの開発でファウンドリ（半導体受託生産）事業でい段階成長する足場を整えた。
6日、サムスン電子は「28ナノ級の完全デプレッション型シリコン・オン・インシュレータ（FD-SOI）工程を基盤にした埋め込み型MRAMを開発して出荷した」と明らかにした。サムスンが採用したFD-SOIプロセスは、電流が漏れることを防ぐためにシリコンウエハ上に絶縁膜をかぶせ、その上にトランジスタを形成する技術だ。それだけに電力損失の少ない低消費電力の製品という評価だ。
埋め込み型MRAMは、フラッシュメモリよりも書き込み速度が約1000倍高速でありながらも、DRAMのように電源を切ってもデータが保存される特徴がある。小型の電子機器や車載用コントローラなどの、特定の機能を実行するプログラムを保存するときに使用される。
従来の内蔵フラッシュメモリは、データを記録するたびに保存されていた既存データを削除する過程を経なければならため、速度の限界があった。しかし埋め込み型MRAMはこのプロセスが必要ないので速い。また、動作電圧が低くて電力効率が優れている。
サムスン電子が今回生産した埋め込み型MRAMは、システム半導体（SoC）に結合されて主要顧客企業に供給された。このことから、次世代のファウンドリ事業で優位に立てるという評価が出ている。
また、サムスン電子は年内に1Gb埋め込み型MRAMテストチップを生産する予定だ。サムスン電子ファウンドリ事業部戦略マーケティングチームのイ・サンヒョン常務は、「次世代の内蔵メモリソリューションを紹介することになった」としながら、「埋め込み型MRAMを拡大して、顧客と市場のニーズに対応する」と述べた。サムスン電子はこの日、器興キャンパスで量産製品の最初の出荷を記念する行事を行った。
6日、サムスン電子は「28ナノ級の完全デプレッション型シリコン・オン・インシュレータ（FD-SOI）工程を基盤にした埋め込み型MRAMを開発して出荷した」と明らかにした。サムスンが採用したFD-SOIプロセスは、電流が漏れることを防ぐためにシリコンウエハ上に絶縁膜をかぶせ、その上にトランジスタを形成する技術だ。それだけに電力損失の少ない低消費電力の製品という評価だ。
埋め込み型MRAMは、フラッシュメモリよりも書き込み速度が約1000倍高速でありながらも、DRAMのように電源を切ってもデータが保存される特徴がある。小型の電子機器や車載用コントローラなどの、特定の機能を実行するプログラムを保存するときに使用される。
従来の内蔵フラッシュメモリは、データを記録するたびに保存されていた既存データを削除する過程を経なければならため、速度の限界があった。しかし埋め込み型MRAMはこのプロセスが必要ないので速い。また、動作電圧が低くて電力効率が優れている。
サムスン電子が今回生産した埋め込み型MRAMは、システム半導体（SoC）に結合されて主要顧客企業に供給された。このことから、次世代のファウンドリ事業で優位に立てるという評価が出ている。
また、サムスン電子は年内に1Gb埋め込み型MRAMテストチップを生産する予定だ。サムスン電子ファウンドリ事業部戦略マーケティングチームのイ・サンヒョン常務は、「次世代の内蔵メモリソリューションを紹介することになった」としながら、「埋め込み型MRAMを拡大して、顧客と市場のニーズに対応する」と述べた。サムスン電子はこの日、器興キャンパスで量産製品の最初の出荷を記念する行事を行った。
- 毎日経済＿イ・サンドク記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2019-03-06 17:52:20
