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サムスン電子、2021年に3ナノメートル製品を量産
サムスン電子は今年にファウンドリ（半導体受託生産）で供給を開始した7ナノメートルプロセス製品よりも性能を35％改善した3ナノメートルプロセス製品を来年に開発し、2021年から量産すると発表した。世界の半導体メーカーの中ではサムスン電子が3ナノメートルプロセス製品の具体的な技術開発・量産日程を初めて公開することで、ファウンドリ世界1位の台湾TSMCに1年ほど先行するという評価が出ている。
サムスン電子は133兆ウォンを投資して、2030年にシステム半導体（モバイルAP、イメージセンサー、ファウンドリなど）で1位を達成するという目標を立てたが、ここではファウンドリが核心的な競争力になると予想される。
サムスン電子は14日（現地時間）、米国サンタクララのマリオットホテルで「サムスンファウンドリフォーラム」を開催し、次世代の「3ナノGAA（Gate All Around）」技術の開発・量産ロードマップを発表し、ファブレス（半導体設計専門会社）などに製品設計に活用できるキットを配布した。
サムスン電子は3ナノプロセスを来年に開発を完了し、2021年から量産する計画だ。 3ナノプロセス製品の開発・量産スケジュールを具体的に明らかにしたのはサムスン電子が初めてだ。 3ナノ製品は、今年の初めにサムスン電子が量産を開始した7ナノ製品に比べてチップ面積と消費電力をそれぞれ45％と50％減らすことができ、パフォーマンスは35％改善される。台湾TSMCも3ナノ製品の開発を推進しているが、まだ具体的なスケジュールは公開していない。ふつうは技術開発がかなりのレベルに進展したときに日程を公開するだけに、3ナノ製品でサムスン電子がTSMCを先行したという評価が出てくる。外信はTSMC側が3ナノ製品の量産時点は2022年だという報道も出ている。ファウンドリ分析会社であるIBSのハンデル・ジョーンズ最高経営責任者（CEO）は、「サムスン電子のGAA技術はTSMCに比べて1年、インテルに比べて2～3年進んでいる」と分析した。
ナノプロセスは回路幅（プロセスルール）をナノメートル（㎚）級に細くして、半導体を製造するプロセスをいう。プロセスルールが微細になるほどチップサイズを小さくすることができ、電力効率と性能も改善することができる。 3ナノメートルは髪の毛の太さ（約0.1㎜）の3万分の1程度の大きさだ。
サムスン電子は、4ナノ製品までは既存のFinFET構造（回路の3面が電流を制御するゲートに接触）を活用することに比べて、3ナノ製品からはGAA（回路のすべての面がゲートに接触）を採用する予定だ。 GAAはFinFETに比べて電流の流れをより細かく制御することから、消費電力は削減してパフォーマンスは向上する。 TSMCも3ナノ製品を開発するためにはGAA方式を活用するものと見られる。サムスン電子のファウンドリ事業部のチョン・ウンスン事業部長（社長）は、「サムスンはグローバルファウンドリー業界でGAA技術を公開した唯一の企業」だとし、「3ナノメートルGAAの最新プロセスは、ファウンドリビジネスを変える」と強調した。
サムスン電子は133兆ウォンを投資して、2030年にシステム半導体（モバイルAP、イメージセンサー、ファウンドリなど）で1位を達成するという目標を立てたが、ここではファウンドリが核心的な競争力になると予想される。
サムスン電子は14日（現地時間）、米国サンタクララのマリオットホテルで「サムスンファウンドリフォーラム」を開催し、次世代の「3ナノGAA（Gate All Around）」技術の開発・量産ロードマップを発表し、ファブレス（半導体設計専門会社）などに製品設計に活用できるキットを配布した。
サムスン電子は3ナノプロセスを来年に開発を完了し、2021年から量産する計画だ。 3ナノプロセス製品の開発・量産スケジュールを具体的に明らかにしたのはサムスン電子が初めてだ。 3ナノ製品は、今年の初めにサムスン電子が量産を開始した7ナノ製品に比べてチップ面積と消費電力をそれぞれ45％と50％減らすことができ、パフォーマンスは35％改善される。台湾TSMCも3ナノ製品の開発を推進しているが、まだ具体的なスケジュールは公開していない。ふつうは技術開発がかなりのレベルに進展したときに日程を公開するだけに、3ナノ製品でサムスン電子がTSMCを先行したという評価が出てくる。外信はTSMC側が3ナノ製品の量産時点は2022年だという報道も出ている。ファウンドリ分析会社であるIBSのハンデル・ジョーンズ最高経営責任者（CEO）は、「サムスン電子のGAA技術はTSMCに比べて1年、インテルに比べて2～3年進んでいる」と分析した。
ナノプロセスは回路幅（プロセスルール）をナノメートル（㎚）級に細くして、半導体を製造するプロセスをいう。プロセスルールが微細になるほどチップサイズを小さくすることができ、電力効率と性能も改善することができる。 3ナノメートルは髪の毛の太さ（約0.1㎜）の3万分の1程度の大きさだ。
サムスン電子は、4ナノ製品までは既存のFinFET構造（回路の3面が電流を制御するゲートに接触）を活用することに比べて、3ナノ製品からはGAA（回路のすべての面がゲートに接触）を採用する予定だ。 GAAはFinFETに比べて電流の流れをより細かく制御することから、消費電力は削減してパフォーマンスは向上する。 TSMCも3ナノ製品を開発するためにはGAA方式を活用するものと見られる。サムスン電子のファウンドリ事業部のチョン・ウンスン事業部長（社長）は、「サムスンはグローバルファウンドリー業界でGAA技術を公開した唯一の企業」だとし、「3ナノメートルGAAの最新プロセスは、ファウンドリビジネスを変える」と強調した。
- 毎日経済＿シリコンバレー＝ソン・ヂェグォン特派員／ソウル＝キム・ギュシク記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2019-05-15 18:26:02
