サムスン電子「技術の超格差だけが生きる道」

第6世代NAND型SSD量産 


サムスン電子は「第6世代NAND型フラッシュメモリ」を基盤にしたSSD(写真)を、世界初で量産に突入した。特にサムスン電子が今回適用したNAND型フラッシュメモリは、電子が移動する通路を作る手法に進んだ技術を採用し、性能と生産性を改善した。

サムスン電子は6日、「第6世代(1xx段)256Gb(ギガビット)3ビットV NAND型」を基板にした「企業用PC SSD」を量産し、世界のPCメーカーに供給したと明らかにした。特にサムスンは第6世代のV NAND型フラッシュメモリを使用して過去最高のデータ転送速度と生産性を実現し、「超積層NAND型フラッシュ」の新しいパラダイムを提示したと付け加えた。

NAND型はシリコンウェハにデータを格納する「セル」を積み上げ方式で製造されるが、このセルをより高く積み上げて基本性能を高めながらも、セルの動作と関連した新技術を追加採用し、速度を向上させながらも消費電力を削減することが核心的な競争力だ。セルを3次元の垂直構造に重ね合わせる方式をサムスン電子は特にV NAND型と呼び、業界では3D NAND型と呼ぶ。

サムスン電子は第6世代V NAND型に総136段を積んだが、その中でセルは128段であり、セルの動作を支援するための層が8段だ。サムスン電子が実装した128段のセルは、第5世代よりも40%増えた水準だ。

セルを積んだ段数が増えるほど、層間絶縁状態を均一に保つことが難しく、電子の移動経路も長くなって誤作動の可能性が高まり、データ読み出し時間も遅延する問題が発生する。これを克服するために、セルの中央に微細な円筒形の穴を開けて接続することになるが、サムスン電子は136段を垂直に、一度開けて接続する「単一工程」を採用し、パフォーマンスと生産性や省電力性などを改善した。

半導体業界の関係者は、「100段を例にとると、ふつう業界では50段を積んだ後に穴をあけて、再び50段を積んで穴をあける2段階方式を活用することに比べ、サムスン電子は136段を一度に積んで連結する技術で、業界で最初に成功した」と説明した。サムスン電子は、自社の第6世代NAND型が第5世代のNAND型に比べて10%以上の性能を高めつつ消費電力を15%削減し、生産性は20%向上したとした。

サムスン電子は次世代のスマートフォンなどに必要な高速・低消費電力のストレージデバイス技術を開発することにより、グローバルなモバイル市場の先取りに乗り出す予定だ。また企業のサーバー市場の高容量化を主導すると同時に、自動車市場までV NAND型事業を拡大するという戦略だ。サムスン電子は来年から「第6世代V NAND型ベースのSSDのラインナップ」を本格拡大することにした。
  • 毎日経済_キム・ギュシク記者 | (C) mk.co.kr
  • 入力 2019-08-06 18:04:21