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SKハイニックス、業界で初めて「Wide I/O2」開発
Wide I/O2はJEDECで標準化を進めている次世代の高性能モバイルDRAMの一種
SKハイニックスはこれまでのLP DDR4（低消費電力DDR4）に比べて処理速度が4倍高速化した、次世代のモバイルDRAMを披露した。SKハイニックスは3日、モバイルDRAMの一種である「Wide I/O2（ワイドアイオーツー）」を、業界で初めて開発したと明らかにした。Wide I/O2はJEDEC（米・電子工業会内の半導体標準化団体）で標準化を進めている次世代の高性能モバイルDRAMの一種だ。
Wide I/O2はLP DDR4と同じ1.1ボルトの動作電圧で電力効率が高く、情報が移動する通路（データバス）を増やして処理速度を上げた。既存のLP DDR4は3200Mbps（メガビット秒）の速度で動作し、32のI/O（アイオー＝情報の入口と出口）ポートを持ち毎秒12.8ギガバイトのデータ処理が可能なことに比較して、Wide I/O2は一つのI/Oポートは800メガビット秒の速度で動作するが、512のI/Oポートによって毎秒51.2ギガバイトのデータを処理できる。SKハイニックスはこの製品のサンプルを主要なシステムオンチップ（SoC）企業に伝達した。
これらの企業ではWide I/O2を含めて、いくつかの機能を持つ半導体を一つのパッケージに構成した製品を市場に出荷する予定だ。SKハイニックスは来年下半期から本格的に量産を開始する。キム・ヂングクSKハイニックスモバイル本部長は、「Wide I/O2製品を通じ、拡大する高性能モバイルDRAMの顧客要求を満足させるつもり」だとし、「継続して高性能・低消費電力の製品を開発し、モバイルDRAM市場の技術主導権を確保していく」と語った。
Wide I/O2はLP DDR4と同じ1.1ボルトの動作電圧で電力効率が高く、情報が移動する通路（データバス）を増やして処理速度を上げた。既存のLP DDR4は3200Mbps（メガビット秒）の速度で動作し、32のI/O（アイオー＝情報の入口と出口）ポートを持ち毎秒12.8ギガバイトのデータ処理が可能なことに比較して、Wide I/O2は一つのI/Oポートは800メガビット秒の速度で動作するが、512のI/Oポートによって毎秒51.2ギガバイトのデータを処理できる。SKハイニックスはこの製品のサンプルを主要なシステムオンチップ（SoC）企業に伝達した。
これらの企業ではWide I/O2を含めて、いくつかの機能を持つ半導体を一つのパッケージに構成した製品を市場に出荷する予定だ。SKハイニックスは来年下半期から本格的に量産を開始する。キム・ヂングクSKハイニックスモバイル本部長は、「Wide I/O2製品を通じ、拡大する高性能モバイルDRAMの顧客要求を満足させるつもり」だとし、「継続して高性能・低消費電力の製品を開発し、モバイルDRAM市場の技術主導権を確保していく」と語った。
- 毎日経済_イ・ヂンミョン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2014-09-03 17:31:15
