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サムスン電子、第4四半期「12兆」メモリへ投資

中長期の需要増加に対応 

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  • 年度別の施設投資


サムスン電子は12四半期ぶりに最も低調な半導体実績を記録した状況でも、将来の成長のための中長期の投資は継続していく計画だ。

サムスン電子は31日、業績発表後に行われたカンファレンスコールで今年は総29兆ウォンの施設投資を執行する計画だと明らかにした。これは昨年に執行した投資金額29兆4000億ウォンと同様の水準で、メモリ不況と業績不振に苦戦している状況にもかかわらず投資の意志を示したものだ。

サムスン電子は第3四半期の6兆1000億ウォンの投資を含め、今年の第3四半期までに累積16兆8000億ウォンの投資を断行した。事業別では半導体の14兆ウォン、ディスプレイに1兆3000億ウォンがそれぞれ投入された。

サムスン電子の投資計画によると、今年の施設投資額全体の約42%である12兆2000億ウォンが第4四半期に大挙執行されるわけだ。サムスン電子は中長期の半導体需要に対応するために中国の西安2工場を来年初めから稼働して、平沢の第2工場も来年稼動を目標に投資を進めている。サムスン電子の関係者は、「第4四半期の施設投資は中長期の需要に対応するための、メモリのインフラに対する投資に集中している」とし、「ファウンドリの競争力強化のための極紫外線(EUV)7ナノ工程の生産量拡大と、量子ドット(QD)ディスプレイへの投資も持続する方針だ」と説明した。
  • 毎日経済_チョン・ギョンウン記者 | (C) mk.co.kr
  • 入力 2019-10-31 18:03:19




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