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サムスン電子、中国のNAND型メモリ市場の攻略に速度出す
西安半導体工場へ80億ドル追加投資
NAND型フラッシュメモリの市場シェア
サムスン電子は第4次産業革命が推進する中・長期のメモリ需要に対応するため、中国・西安の半導体工場への追加投資に着手する。メモリ不況が続き、その間サムスン電子は設備投資を最小限に抑えるために保守的な戦略をとってきたが、将来の成長のための投資に再び起動をかけたという分析だ。
12日の半導体業界と中国の現地メディアなどによると、サムスン電子は最近、西安の半導体2期ラインに80億ドル（約9兆4900億ウォン）規模の追加投資に着手したことが分かった。
先だってサムスン電子は2017年8月、NAND型フラッシュメモリの量産規模を拡大するために、3年間で計70億ドル（約8兆3000億ウォン）を西安半導体工場への投資（1段階）し、第2ラインを設置すると明らかにした。
これに加えて、第2段階として装備の発注とラインの増設などで80億ドルを追加投資し、2021年までに生産ラインを完成する計画だ。サムスン電子は西安の第1ラインを建設する時から、すでに第2ラインのための敷地を確保している。計画通りに増設が行われれば、西安2期ラインはV NAND型が主に量産される。 NAND型はDRAMとは異なり電源を切ってもデータを記憶するメモリ半導体で、モノのインターネット（IoT）と人工知能（AI）やバーチャルリアリティ（VR）などの第4次産業革命による需要拡大が続いている。この中でもV NAND型は平面のNAND型とは異なり、回路を上に積みあげた3次元構造で作られたNAND型フラッシュメモリで集積度が高くて容量が大きい。サムスン電子は2014年から西安の半導体工場でV NAND型を量産し、継続して生産規模を増やしてきた。
サムスン電子が第1段階の投資を通じて昨年着工した西安2期ラインは、今年の完工を控えているが、来年の年初から本格的に稼働すると観測される。サムスン電子は今年の第3四半期の実績カンファレンスコールで、「中長期の需要増加に対応するために、中国の西安工場は2020年初めから稼働して増設規模を弾力的に運用する」と述べた。ただし同社は「具体的な量産時期などは未定であり、需要の変化に応じて弾力的に運用する」と明らかにした。
業界では西安工場第2ラインが完成したら、サムスン電子のNAND型フラッシュメモリの独走体制はよりいっそうしっかりすると見ている。サムスン電子のNAND型フラッシュメモリの生産拠点基地は平沢と華城、中国の西安など3か所だ。 2021年ごろに西安2ラインに対する2段階の投資がすべて完了したら、ひと月あたりの生産能力は投入ウェハを基準にして約13万枚の規模で、12万枚規模の1ラインに加えて月25万枚前後の生産能力を保有することが期待される。- 毎日経済＿ファン・スンミン記者 | (C) mk.co.kr | 入力 2019-12-12 21:48:38
