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サムスン電子、メモリ「超格差」を強化…14ナノDRAMを量産
写真提供＝サムスン電子
メモリー半導体で世界1位のサムスン電子は極紫外線（EUV）工程を適用した最尖端DRAMの量産に突入し、メモリ半導体の微細プロセス競争で後発とのギャップをさらに広げた。
サムスン電子は12日、「10ナノ級4世代（1a）DRAM」と呼ばれる14㎚（ナノメートル／1㎚=10億分の1メートル）DRAM（写真）の量産を開始すると明らかにした。サムスン電子の14ナノDRAMは、前世代の15ナノ級（1z）DRAMとの比較でウェハ集積度を高め、生産性を20％改善したことが特徴だ。これはウェハ1枚で得ることのできるDRAMの量が20％増えるという意味で、コスト競争力が強化されるという効果がある。サムスン電子製14ナノDRAMはまた、消費電力を以前のプロセスに比べて20％減らした。
サムスン電子は今回の新規プロセスを、最新のDDR5 DRAMに最初に適用する。 DDR5は最高7.2Gbpsの速度でDDR4との比較で速度は2倍以上速い、次世代のDRAM規格だ。
サムスン電子製14ナノDRAMのもう一つの特徴は、業界で唯一のEUV多層工程を適用し、微細プロセス競争で競合他社に比べてしっかりと優位を確保した点だ。半導体は数十の層（レイヤー）で構成されているが、それぞれのレイヤーごとに露光・エッチングなどのプロセスを経なければならない。このためのひとつの半導体を作るためには何百ものプロセスが必要だ。サムスン電子は数十のレイヤーのうちの5つのレイヤーの露光工程にEUVを活用することにより、従来品に比べて工程を大幅に削減しながらも、さらに細かい回路を実現した。
半導体業界によると、サムスン電子に先立って米マイクロン社とSKハイニックスが1a DRAMを公開したが、マイクロンはEUVではなく既存の機器を使用しており、SKハイニックスは1つのレイヤーのみにEUVを適用したことが分かった。
サムスン電子は業界最小の線幅である14ナノ工程と、高い成熟度のEUV工程の技術力を基盤にDDR5 DRAM普及をリードすると強調した。
サムスン電子メモリ事業部のイ・ジュヨンDRAM開発室長（専務）は「サムスン電子はこの30年間、絶え間ない技術革新によって半導体微細工程の限界を克服してきたし、今回もいちばん最初にマルチレイヤーのEUV工程を適用して、業界最尖端の14ナノ工程を実現した」とし、「大容量・高性能だけでなく、高い生産性でビッグデータ時代に必要な最高のメモリソリューションを提供する」と強調した。- 毎日経済 | ノ・ヒョン記者 | 入力 2021-10-12 17:56:44
