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SKハイニックス、第3世代の10ナノ級DDR4 DRAM開発

    • SKハイニックスが開発した第3世代の10ナノ級(1z)DDR4 DRAM。 写真提供:SKハイニックス



    SKハイニックスは21日、第3世代の10ナノ級(1z)マイクロプロセスを適用した16Gbit(ギガビット)DDR4 DRAMを開発したと明らかにした。

    シングルチップを基準にして業界最大容量の16Gbを実現し、1枚のウエハから生産されるメモリの総容量も、現存するDRAMの中で最も大きい。第2世代(1y)製品に比べて生産性が約27%向上し、超高価なEUV(極紫外線)露光工程がなくても生産可能なことから原価競争力も備えている。

    データ転送速度はDDR4規格の最高速度である3200Mbpsまで安定して支援する。電力効率も大幅に高め、第2世代の8Gb製品で作られた同一容量のモジュールよりも消費電力を約40%減らした。

    特に第3世代の製品は、前世代の製造プロセスでは使用していない新規物質を採用して、DRAMの動作の重要な要素である静電容量を最大化しており、新しい設計技術を導入して動作の安定性も高めた。

    イ・ジョンフンDRAM開発事業1z TF長は、「第3世代の10ナノ級DDR4 DRAMは業界最高水準の容量と速度にくわえて電力効率もそなえ、高性能・大容量のDRAMを求める顧客社のニーズの変化に最も適した製品」だとし、「年内に量産準備を終えて来年から本格的に供給に乗り出し、市場の需要に積極的に対応する」と語った。

    一方、SKハイニックスは次世代のモバイルDRAMであるLPDDR5と最高速のHBM3規格のDRAM など、さまざまな応用先にかけて第3世代の10ナノ級微細工程技術を拡大適用していく計画だ。
  • 毎日経済デジタルニュース局_キム・スンハン記者 | (C) mk.co.kr | 入力 2019-10-21 14:09:54