トップ > 数字経済 > マーケット > 韓国メモリ・半導体、技術力を全面に米・日・中の追撃かわす
世界1位の韓国メモリ・半導体が、米国・日本・中国の追撃をかわすために「差別化」に乗り出した。技術力で圧倒し、より高い参入障壁を作るという戦略だ。
サムスン電子は21日、世界初の20ナノプロセスを適用した8ギガビット（Gb）DDR4サーバー用DRAMの量産に成功したと明らかにした。去る3月の20ナノプロセスPC用DRAMと、先月のモバイルDRAMの量産に続く成果だ。20ナノプロセスとは、半導体回路の幅が1億分の2メートルという意味で、半導体業界で「限界」として認識されてきた。現在、20ナノメートルDRAMを量産する国は韓国が唯一だ。日本と米国はまだ20ナノプロセスに到達していない。
25ナノプロセスDRAMの生産が始まって以来、これ以上の微細プロセスは不可能だと認識されたが、20ナノ4ギガビット DDR3 PC用DRAMとモバイルDRAMに続き、サーバー用のDRAMまで20ナノメートル製品を出すことで、20ナノメートルDRAM時代を開くことになった。
サムスン電子の20ナノ8ギガビット DDR4サーバー用DRAMは、インタフェースの最高速度である毎秒2400Mbps（メガビット秒）でデータを転送しながらも、動作電圧は1.2ボルトに過ぎず、処理速度と消費電力効率を大幅に高めた。サムスン電子メモリー事業部マーケティングチームのペク・チホ常務は、「今回の20ナノ8ギガビット DDR4 DRAMは、次世代サーバシステム構築のための3つの必要な要素である‘高性能・大容量・低消費電力’属性をすべて満たした製品」とし、「今後、20ナノメートルDRAMの比重を拡大する」と語った。
サムスン電子は、内部的にはメモリ半導体の市場占有率を来年に50％以上に引き上げ、最大60％を達成するという目標を設けたと伝えられた。これまで世界1位のメモリ半導体は、市場全体の60~70％のシェアを占めたが、サムスン電子は現在世界1位の座にありながらも市場占有率は40％に満たないわけだ。
サムスン電子がメモリ技術に集中投資することは、テレビや生活家電に続いてスマートフォンでも影響力を拡大している中国企業の半導体市場への参入を積極的にブロックするという意図もある。大規模な投資を通じて、後発走者が短期間に技術力の格差を縮めることができない状態にまで技術力を高めるというものだ。
DRAMメモリーで世界2位のSKハイニックスも、世界最大容量の16ギガバイト・不揮発性メモリモジュールを開発した。20ナノ4ギガビット DDR4 DRAMメモリーを土台にNAND型フラッシュを追加して、予期しない電源損失が発生した場合でも、データを安全に保存・回復できる高付加価値製品だ。
1.2ボルトで2133メガビット秒のデータ処理速度を実現しており、64個のI/ Oポート（情報入口と出口）を持つモジュールを介して、毎秒17ギガバイトのデータを処理できる。SKハイニックスのホン・ソンヂュDRAM開発本部長は、「不揮発性メモリモジュールの最大容量である16ギガバイトDDR4製品を世界で初めて開発した」とし、「今後もハイブリッドモジュールを開発し、サーバー用メモリー市場での技術リーダーシップを強化する」と明らかにした。
市場調査機関「ガートナー」によると、サーバー用DRAM市場は今年から2018年まで、数量ベースで年平均37％の成長が予想される。「IHSテクノロジー」は、DRAMモジュール市場は数量ベースでサーバー部門が占める割合が今年の33％から来年は41％に増え、2018年には62％に達すると予測した。
韓国メモリ・半導体、技術力を全面に米・日・中の追撃かわす
サムスン、20ナノプロセス・サーバー用DRAM初の量産
< DRAMメモリー市場シェア >
サムスン電子は21日、世界初の20ナノプロセスを適用した8ギガビット（Gb）DDR4サーバー用DRAMの量産に成功したと明らかにした。去る3月の20ナノプロセスPC用DRAMと、先月のモバイルDRAMの量産に続く成果だ。20ナノプロセスとは、半導体回路の幅が1億分の2メートルという意味で、半導体業界で「限界」として認識されてきた。現在、20ナノメートルDRAMを量産する国は韓国が唯一だ。日本と米国はまだ20ナノプロセスに到達していない。
25ナノプロセスDRAMの生産が始まって以来、これ以上の微細プロセスは不可能だと認識されたが、20ナノ4ギガビット DDR3 PC用DRAMとモバイルDRAMに続き、サーバー用のDRAMまで20ナノメートル製品を出すことで、20ナノメートルDRAM時代を開くことになった。
サムスン電子の20ナノ8ギガビット DDR4サーバー用DRAMは、インタフェースの最高速度である毎秒2400Mbps（メガビット秒）でデータを転送しながらも、動作電圧は1.2ボルトに過ぎず、処理速度と消費電力効率を大幅に高めた。サムスン電子メモリー事業部マーケティングチームのペク・チホ常務は、「今回の20ナノ8ギガビット DDR4 DRAMは、次世代サーバシステム構築のための3つの必要な要素である‘高性能・大容量・低消費電力’属性をすべて満たした製品」とし、「今後、20ナノメートルDRAMの比重を拡大する」と語った。
サムスン電子は、内部的にはメモリ半導体の市場占有率を来年に50％以上に引き上げ、最大60％を達成するという目標を設けたと伝えられた。これまで世界1位のメモリ半導体は、市場全体の60~70％のシェアを占めたが、サムスン電子は現在世界1位の座にありながらも市場占有率は40％に満たないわけだ。
サムスン電子がメモリ技術に集中投資することは、テレビや生活家電に続いてスマートフォンでも影響力を拡大している中国企業の半導体市場への参入を積極的にブロックするという意図もある。大規模な投資を通じて、後発走者が短期間に技術力の格差を縮めることができない状態にまで技術力を高めるというものだ。
DRAMメモリーで世界2位のSKハイニックスも、世界最大容量の16ギガバイト・不揮発性メモリモジュールを開発した。20ナノ4ギガビット DDR4 DRAMメモリーを土台にNAND型フラッシュを追加して、予期しない電源損失が発生した場合でも、データを安全に保存・回復できる高付加価値製品だ。
1.2ボルトで2133メガビット秒のデータ処理速度を実現しており、64個のI/ Oポート（情報入口と出口）を持つモジュールを介して、毎秒17ギガバイトのデータを処理できる。SKハイニックスのホン・ソンヂュDRAM開発本部長は、「不揮発性メモリモジュールの最大容量である16ギガバイトDDR4製品を世界で初めて開発した」とし、「今後もハイブリッドモジュールを開発し、サーバー用メモリー市場での技術リーダーシップを強化する」と明らかにした。
市場調査機関「ガートナー」によると、サーバー用DRAM市場は今年から2018年まで、数量ベースで年平均37％の成長が予想される。「IHSテクノロジー」は、DRAMモジュール市場は数量ベースでサーバー部門が占める割合が今年の33％から来年は41％に増え、2018年には62％に達すると予測した。
- 毎日経済_イ・ヂンミョン記者／チョン・スンファン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2014-10-21 17:19:35
