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SKハイニックス、3兆ウォン半導体設備投資

主要半導体業者2013年暫定売上 

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総帥の不在にもかかわらず、SKハイニックスが来年3兆ウォン余りの半導体設備投資をする事にした。SKハイニックスは近いうちにこのような内容の来年度事業計画を確定する方針だ。

半導体業界の関係者は10日、「公式には来年の投資金額を明らかにすることができないが、SKハイニックスが例年水準よりもう少し高い水準の設備投資を計画している」とし、「研究開発(R&D)を含んで、半導体生産技術のアップグレードのために投入する費用」だと説明した。

SKハイニックスの大規模投資はことし期待以上の実績をおさめたことに加え、来年の成果に対しても期待するところが大きいからだ。

半導体業界では来年にDRAMメモリー半導体の需要が大きく増えると見ている。したがって、DRAMメモリー半導体価格も上昇することと予想される。SKハイニックスの主力生産品種はDRAMメモリー半導体とNAND型フラッシュメモリー半導体であることから最大の受恵者になりそうだ。SKハイニックスは全体生産ラインの70%でDRAMメモリー半導体を生産している。

SKハイニックスの大規模設備投資は、このようなメモリー半導体市場の拡大に応じるためと見られる。半導体市場では来年、DRAMメモリー半導体市場の規模が400億ドルに迫り、2008年のグローバル金融危機以後、最大規模を記録すると予想している。

特にスマートフォンとタブレットPCの販売が増えつつ、モバイルDRAMメモリー半導体の需要が急増するようだ。半導体業界関係者は、「モバイル機器に搭載される低電力メモリー半導体の需要が増えると予想する」とし、「SKハイニックスが来年、メモリー半導体市場で相当な役割を果たすことができるだろう」と語った。

米マイクロン・テクノロジーによる日エルピーダ買収で、DRAMメモリー半導体市場をサムスン電子とSKハイニックス、マイクロン・テクノロジーが事実上三分することになり、収益性を保障されるようになったこともSKハイニックスの大規模な投資要因として作用した。これら3社のDRAMメモリー半導体マーケットシェアは90%に迫り、一定の収益を保障できるようになったのだ。

去る9月、SKハイニックスの中国・ウシ(無錫)DRAMメモリー半導体工場で発生した火災事故の収拾が事実上終わり、追加投資余力が生じたこともある。

SKハイニックスは最近、16ナノプロセス技術を適用した64ギガビット・マルチレベルセル(MLC)NAND型フラッシュの量産を始めた。去る6月、世界最初の16ナノプロセスルールを適用した1世代の製品を量産したことに続き、2世代製品である64ギガビット級の量産に乗り出して、NAND型フラッシュ事業の競争力をより強化した。

一方、SKハイニックスは世界半導体市場で初めて5位圏内に進入した。米の市場調査会社ガートナーによれば、SKハイニックスはことし全世界半導体市場でシェア4.1%を記録して4位に立った。ガートナーはSKハイニックスが、今年は前年対比で43.2%多い128億3600万ドルの売上げをあげるだろうと予想した。

現在、世界半導体マーケットシェア1位は米国のインテルであり、サムスン電子がその後についている。
  • 毎日経済_イ・ヂニョン記者 | (C) mk.co.kr
  • 入力 2013-12-10 17:32:02