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SKハイニックス、次世代DRAMメモリー「HBM」の供給拡大

サムスン、マイクロンを抜いて…メモリ業界の版図変化を予想 

  • SKハイニックス、次世代DRAMメモリー「HBM」の供給拡大
今年の上半期の実績で祝砲を放ったSKハイニックスは、次世代メモリの技術競争でも優位を占め、今後の版図変化が予想される。

SKハイニックスの次世代メモリが世界的なシステム半導体メーカーの、2016年以後に出荷される製品の性能テストなどに続々と採用されているからだ。特にメモリの巨人、サムスン電子と米マイクロンなどの競合他社を抑えているという点で、今後の有利な足場を占める契機になるものと予想される。

半導体業界によると先月31日、SKハイニックスは次世代の高速メモリ(HBM)を、AMDやNVIDIAのなどの世界的なシステム半導体メーカーの次世代製品のテストに優先供給している。さらに、世界的なシステム半導体企業に対する追加供給も、可視化の段階に入ったと伝えられた。

SKハイニックスの次世代DRAMメモリー「HBM(High Bandwidth Memory)」は、既存のDRAMを4段に積み上げた製品だ。現存のDRAMと比較してデータ処理は4倍速く、消費電力は40%ほど減った。

SKハイニックスはこの製品を、今年の年末か遅くとも来年の第1四半期に京畿道の利川工場で量産に入り、来年にはグラフィックスチップに使用して、2016年からはサーバー・スーパーコンピュータ・ネットワーク・高性能PC等に優先供給するという計画だ。これ以後はゲームコンソールを含む、デジタルコンシューマー製品への採用が拡大すると予想される。

SKハイニックスのこのような成果は、PCの中央処理装置(CPU)の設置パターンが完全に変わっているからだ。現在、PCメーカーはCPUはCPUで、メモリはメモリで別々に供給を受けているが、今後は一つのCPUに複数のメモリを搭載したパッケージ形態(SiP=システムインパッケージ)で供給される。デバイスが小型・軽量化しつつ、一つのチップにメモリまで含んだ「ワンパッケージ」形態だ。

AMDなどのシステム半導体メーカーは、少なくとも4つのHBMを同時に搭載し、一つのパッケージとしてPCメーカーに供給するという意味だ。

SKハイニックスは昨年末、TSV(シリコン貫通電極)技術を適用したHBMを開発しており、現在は国際半導体標準協議機構(JEDEC)で標準化を進めるなど、「商用化」に総力を傾けている。

HBM DRAMは、既存のDRAMの性能を進化させたDDRを代替できる技術として開発された。スマートフォンの登場でPCとコンピューティングのDRAMも、性能と容量は高めながらも消費電力は減らさなければならない。しかし既存のDDRシリーズは、消費電力を削減しつつ処理速度を向上させるところで技術的な限界を示している。

現在のメモリ半導体の中で最も性能が良い製品はGDDR5(秒6ギガビットのデータ処理)だ。

SKハイニックスのHBMはTSV技術を適用し、20ナノ級DRAMを4段に積層して技術的な限界を克服した。TSVとは2つ以上のチップを垂直に貫通する電極を形成し、チップ間の電気的信号を伝達する尖端パッケージ方式だ。1.2ボルトの電圧で1ギガビット秒の処理速度を出し、総1024個のデータ入出口(I/ O)を持ち、毎秒128ギガバイトのデータ処理が可能だ。つまり4倍以上高速でありながらも電力消耗は少ない。

業界では慎重にメモリ業界の版図の変化を予想している。サムスン電子も次世代DRAM開発では決して引けをとらないが、パッケージ方式で供給される2016年以降は、DRAMの絶対強者の地位が揺らぐことがありうるからだ。サムスン電子はモバイルAP・ファウンドリなどのシステム半導体事業を強化し、インテルやクアルコムなどがサムスン電子をけん制していることがメモリ事業にも影響を与える可能性がある。
  • 毎日経済_ソン・ヂェグォン記者 | (C) mk.co.kr
  • 入力 2014-07-31 21:01:01