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サムスン電子、3次元DRAM量産...メモリー半導体市場主導

処理速度2倍・消費電力半分の3次元DRAM量産 

サムスン電子は処理速度を2倍に高め、消費電力は半分に減らしたサーバー用DRAMメモリー製品を量産した。サムスン電子は27日、メモリチップを金属ワイヤーで接続する代わりにチップを垂直に積み重ねて性能を高めた64ギガバイト次世代DDR4(double-data rate 4)サーバー用DRAMモジュールの量産を開始したと明らかにした。

この製品はNAND型フラッシュメモリーに使用されたサムスン電子独自の3次元半導体積層技術をDRAMメモリーに拡大適用したもので、世界初のDRAMメモリ製造技術だ。サムスン電子は昨年、世界初の3次元V-NAND型フラッシュメモリーを量産しており、今回も初めてDDR4 RAMに積層技術を適用した次世代製品を生産することで、世界の3次元メモリー半導体時代を主導することになった。

3次元DRAMは既存のDRAMと比較するとき、同じサイズでより多くの容量を確保できるのはもちろん、動作速度は2倍速く消費電力は半分に減った。サムスン電子は今回出荷した64ギガバイトの大容量サーバー用DDR4モジュールと、近いうちに出荷されるグローバルIT企業の次世代サーバー用CPUと連携し、DDR4製品の新規市場を積極的に攻略していく予定だ。

特に下半期のサーバー用DRAM市場はDDR3 DRAMからDDR4 DRAMに転換される傾向に合わせ、64ギガバイト以上の大容量DDR4モジュールも出荷して、高級メモリ市場をさらに拡大していく方針だ。

市場調査機関によると、今年のDRAM市場は世界的に386億ドルに達し、そのうちのサーバー市場が20%以上の割合を占めると見通している。クラウドディング・コンピュータの比重が高まり、サーバーに搭載されるソフトウェアの種類も増えており、今後は大容量のDRAMの需要はさらに増加すると予想される。

サムスン電子がDRAM製造に導入した3次元プロセスはTSV積層技術を適用したもので、金属ワイヤーを用いてチップを接続する代わりに、チップに微細な穴を開けてチップの上下端を電極に接続した。

これにより、4ギガビットDRAMを4層に積んだ後に36個つないだもので、DDR4 DRAMに144個のDRAMチップが密集している。TSV積層技術は、DRAMチップを一般的な紙の厚さの半分よりも薄く削った後に数百個の微細な穴を開け、上部チップと下部チップの穴を垂直に貫通する電極を接続した、最先端のパッケージング技術だ。

サムスン電子メモリー事業部マーケティングチームのペク・チホ常務は、「今回のTSVベースのDRAMモジュールの量産で、下半期の業界の次世代CPUのリリースに合わせた超低消費電力ソリューションを提供し、高級DDR4 DRAM市場を先行獲得できるようになった」と語った。
  • 毎日経済_イ・ジンミョン記者 | (C) mk.co.kr
  • 入力 2014-08-27 17:35:28