今回のビッグディールでNAND型フラッシュメモリ-分野でも、DRAMと同様の技術革新競争が行われるものと業界では見ている。 NAND型の場合はDRAMプロセスの微細化競争と同様に、集積度を高める競争が激しい。サムスン電子が2013年8月に世界初の3次元(3D)垂直構造を適用した24段のNAND型フラッシュメモリ(1世代3D V NAND型)を開発した後に超格差を維持しているなかで、SKハイニックスもサムスン電子を追撃し、2018年11月に世界初の96段4D NAND型フラッシュメモリの開発に成功するなど、技術力を大幅に引き上げた。