トップ > テクノロジー > IT・科学 > SKハイニックス、4倍速いDRAM開発

SKハイニックス、4倍速いDRAM開発

1秒にDVD級映画30編をダウンロード可能 

  • SKハイニックス、4倍速いDRAM開発
今年は創社以来の最高実績をあげたSKハイニックスが、業界最初の新技術(TSV・シリコン貫通電極)を適用した次世代超高速メモリー製品(写真)を開発することに成功した。

この製品は、速度は現存の最高製品(DDR5)より4倍早く、電力消費は40%以上低いことが特徴で、次世代の主要製品になり得るDRAMメモリーとされている。

26日、SKハイニックスは高帯域幅メモリー(HBM・High Bandwidth Memory)を開発することに成功したと明らかにした。

この製品は半導体標準化機構(JEDEC)で標準化を進めている次世代DRAMメモリーだ。高性能・低電力・高容量の製品で、1.2ボルトの電圧で1ギガ級(Gbps)の速度を具現する。秒当たり28GB(DVD級画質の映画8編分量)のデータを処理することができる既存最高速の製品(DDR5)より4倍早いのが特徴だ。それでも電力消費は40%程度低いので、今後のスーパコンピュータ、ネットワーク、サーバーなどに応用される見込みだ。

SKハイニックスはこの製品の技術検証のためにAMDと共同開発した。来年上半期のうちに試作品を作り、来年の下半期から量産を開始する予定だ。

サムスン電子は関連技術を開発したが、まだ量産段階には至らなかったと伝えられた。

SKハイニックスはSKグループに買収されて以後、その間に投資不振から脱し、世界最初の技術を開発するなど競争力を高めている。
事実、SKハイニックスは今年6ギガビット及び8ギガビット・モバイルDRAM(20ナノ)を世界で最初に開発したことに続き、64ギガビットNAND型フラッシュメモリー(16ナノ)も最初の量産に成功した事がある。

ホン・ソンスSKハイニックスDRAM開発本部長(専務)は「新技術を活用したHBM製品の来年の商用化を手始めに、製品ポートフォリオをより強化して、メモリー市場で主導権を持続的に確保する」と明らかにした。

特にSKハイニックスが開発した次世代超高速メモリーは、3次元メモリー半導体製造方式と呼ばれるTSV方式を最初に使ったことで注目されている。

TSV(Through Silicon Via)方式は2個以上のチップを垂直方向に貫通する電極を形成し、チップ間の電気信号を伝達する先端パッケージ方式。既存方式(線連結)に比べて性能は高めつつ大きさを減らすことができる。

DRAMは速度・低電力・大容量などの特性が重要だが技術的限界から部品が複雑になり、半導体のサイズが大きくなる短所を乗り越えるところに限界が見えていた。
  • 毎日経済_ソン・ヂェグォン記者 | (C) mk.co.kr
  • 入力 2013-12-26 17:35:53