トップ > テクノロジー > IT・科学 > SKハイニックス、業界最高層「176段4D NAND型メモリ」開発

SKハイニックス、業界最高層「176段4D NAND型メモリ」開発


SKハイニックス(SK Hynix)は業界最高層の「176段4D NAND型フラッシュメモリ」の開発を完了した。米インテルのNAND型事業部の買収でNAND型メモリ市場でのシェア拡大の基盤を整えたことに続き、技術開発を通じた収益性までを確保しつつ、NAND型フラッシュメモリ事業での競争力強化と転機を整えたという評価だ。

SKハイニックスは7日、512ギガビット(Gb)容量の176段トリプルレベルセル(TLC)4D NAND型フラッシュメモリの開発を完了したと発表した。 TLCはセルを3つの論理空間に区分して保存することで貯蔵効率を高めた方式であり、4Dはセルを駆動するための回路をセルの隣ではなく、下に入れて面積を減らして生産効率を高める技法だ。

176段NAND型フラッシュメモリの開発は、米国の半導体企業マイクロン(Micron)社に続いて2番目だ。今回の開発を通じてSKハイニックスは、業界最高水準のウェハー1枚あたりの生産チップ数を確保した。 NAND型フラッシュメモリはウェハーにデータを格納するセルを積み重ねる方法で製造されるが、このセルを高く積み上げるほどウエハ一枚から抜き出せるチップが増え、生産効率も高くなる。 SKハイニックス側は、以前の世代よりも生産効率は35%以上増えると評価している。

この他にも新しい2分割メモリセル領域の選択技術を通じて、データを読み取る速度が前の世代よりも20%速くなり、データ転送速度も33%改善されたとSKハイニックスは説明した。積層型のNAND型フラッシュメモリはセルを重ねる高さが高くなると、セル内部の電流の減少や層間のねじれ、上下の積層配置不良によるセル分布劣化現象などが発生することになる。

SKハイニックスはこれらの限界をセル層間の高さの減少技術、層別の変動タイミングの制御技術、超精密整列補正などを適用して克服し、業界最高水準の176段NAND型フラッシュメモリを開発することに成功した。

SKハイニックスは来年の半ばには最大読み取り速度は約70%で最大書き込み速度は約35%改善されたモバイルソリューション製品をはじめとし、消費者向けのSSDとエンタープライズ用SSDを順次発売するなど、市場別に拡大していく予定だ。

SKハイニックスがNAND型事業部門でのシェア拡大と収益性の強化に成功し、イ・ソクヒ社長の企業価値100兆ウォン達成目標も可視圏に入ってきたという評価が出ている。イ・ソクヒ社長は昨年、就任直後の演説で「3年後に企業価値100兆ウォンを達成する企業にする」と述べたことがある。
  • SKハイニックス、業界最高層「176段4D NAND型メモリ」開発
  • NAND型の市場シェア

.
  • 毎日経済_パク・チェヨン記者 | (C) mk.co.kr
  • 入力 2020-12-07 17:41:29




      • facebook icon
      • twetter icon
      • RSSFeed icon
      • もっと! コリア