トップ > コラム > サムスン電子、営業利益激減…「半導体偏り」懸念現実
半導体偏り現象に対する懸念が現実化した。かつてサムスン電子の実績で70％以上を占めていた半導体が業況悪化で低迷するや、サムスン電子全体がグラグラと揺れる様相だ。
サムスン電子は実績発表を通じて31日、今年の第2四半期の半導体部門は売上げ16兆900億ウォンと営業利益3兆4000億ウォンを記録したと発表した。前年同期比でそれぞれ28.8％と70.7％が減少した。
これは2016年第3四半期（3兆3700億ウォン）以来で最も低い黒字記録だ。サムスン電子側は「半導体事業はデータセンター顧客の購入の再開とモバイルは高容量化によって需要が一部回復したが、主要顧客の在庫調整などの影響で全体的な業況安と価格下落が続き、業績は悪化した」と説明した。
半導体部門の不振はサムスン電子全体の実績に影響を与えた。今年の第2四半期、サムスン電子全体の売上高と営業利益はそれぞれ56兆1300億ウォンと6兆6000億ウォンだ。前年同期比の売上高は4.03％減少したが、営業利益の場合は55.63％も減少した。
これは半導体偏り現象への懸念が現実化したものだ。 2016年の第1・2四半期までは、全体の営業利益に半導体が占める割合は30％台だったが、同年第3四半期には64.8％を記録した。その後は50％以上を着実に続けてきたサムスン電子は、翌年の第4四半期に70％台にタッチした。特に昨年の第2四半期には80％に迫る78.1％を記録した。今年の第2四半期には実績が大きく落ちたが、今でも52％の割合を占めている。
サムスン電子の半導体に対する実績偏りへの懸念は、すでに何度も取り上げられたことがある。業界では、営業利益全体に半導体部門の占める割合が大きく占めるように、特定部門に依存度が高いということはそれ自体でリスクにつながると指摘する。
サムスン電子は今年の下半期に技術競争力を高め、事業の多角化を通じて「超格差」を続けるという方針だ。 DRAM 1yナノメートル工程への転換と年内に第6世代V NAND型メモリの量産を通じて技術競争力を向上するという計画だ。
サムスン電子は、「システムLSIは、64メガピクセルのイメージセンサーやEUV 7ナノメートルAPなど、顧客社の製品の差別化のためのに高付加価値製品の需要が増加すると予想され、主力製品ラインナップに加えて3D、FoD（Fingerprint on Display）センサー、自動車用半導体、IoT用チップの開発で中・長期の事業領域の拡大を推進する予定だ」と明らかにした。
続いて「EUV 6ナノ製品の量産を開始し、EUV 5ナノ製品の設計と4ナノプロセス開発を完了し、微細工程での競争力を続けて確保していく」と付け加えた。
サムスン電子、営業利益激減…「半導体偏り」懸念現実
サムスン電子半導体部門の実績推移
半導体偏り現象に対する懸念が現実化した。かつてサムスン電子の実績で70％以上を占めていた半導体が業況悪化で低迷するや、サムスン電子全体がグラグラと揺れる様相だ。
サムスン電子は実績発表を通じて31日、今年の第2四半期の半導体部門は売上げ16兆900億ウォンと営業利益3兆4000億ウォンを記録したと発表した。前年同期比でそれぞれ28.8％と70.7％が減少した。
これは2016年第3四半期（3兆3700億ウォン）以来で最も低い黒字記録だ。サムスン電子側は「半導体事業はデータセンター顧客の購入の再開とモバイルは高容量化によって需要が一部回復したが、主要顧客の在庫調整などの影響で全体的な業況安と価格下落が続き、業績は悪化した」と説明した。
半導体部門の不振はサムスン電子全体の実績に影響を与えた。今年の第2四半期、サムスン電子全体の売上高と営業利益はそれぞれ56兆1300億ウォンと6兆6000億ウォンだ。前年同期比の売上高は4.03％減少したが、営業利益の場合は55.63％も減少した。
これは半導体偏り現象への懸念が現実化したものだ。 2016年の第1・2四半期までは、全体の営業利益に半導体が占める割合は30％台だったが、同年第3四半期には64.8％を記録した。その後は50％以上を着実に続けてきたサムスン電子は、翌年の第4四半期に70％台にタッチした。特に昨年の第2四半期には80％に迫る78.1％を記録した。今年の第2四半期には実績が大きく落ちたが、今でも52％の割合を占めている。
サムスン電子の半導体に対する実績偏りへの懸念は、すでに何度も取り上げられたことがある。業界では、営業利益全体に半導体部門の占める割合が大きく占めるように、特定部門に依存度が高いということはそれ自体でリスクにつながると指摘する。
サムスン電子は今年の下半期に技術競争力を高め、事業の多角化を通じて「超格差」を続けるという方針だ。 DRAM 1yナノメートル工程への転換と年内に第6世代V NAND型メモリの量産を通じて技術競争力を向上するという計画だ。
サムスン電子は、「システムLSIは、64メガピクセルのイメージセンサーやEUV 7ナノメートルAPなど、顧客社の製品の差別化のためのに高付加価値製品の需要が増加すると予想され、主力製品ラインナップに加えて3D、FoD（Fingerprint on Display）センサー、自動車用半導体、IoT用チップの開発で中・長期の事業領域の拡大を推進する予定だ」と明らかにした。
続いて「EUV 6ナノ製品の量産を開始し、EUV 5ナノ製品の設計と4ナノプロセス開発を完了し、微細工程での競争力を続けて確保していく」と付け加えた。
- 毎日経済デジタルニュース局＿キム・スンハン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2019-07-31 13:55:01
