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サムスン電子、今年末に京畿華城3D NANDライン稼動の可能性
- サムスン電子の京畿華城（ファソン）の3D NAND型半導体生産ラインが早ければ今年末に稼働する見通しだ。
12日、業界によると、サムスン電子は協力会社と華城17ラインの第2世代（48層）3D NAND工場に半導体工程用蒸着装置を設置するための契約を締結した。今回の華城17ラインの投資額は2兆5000億ウォンに達することが分かった。先立って、サムスン電子は華城16ラインの一部をNAND生産用に転換している。
サムスン電子は、先進の3D NAND型フラッシュ技術でNAND型フラッシュメモリ分野で1位を継続している。3D NAND型フラッシュの割合は、昨年末の約11％から今年末は約30％に上昇すると予想される。
NAND型フラッシュとは、電源供給と関係なく、データが保管できる不揮発性メモリの半導体で、主にソリッド・ステート・ドライブ（SSD）に活用される。
市場調査機関IHSによると、サムスン電子は今年第1四半期の売上高ベースでSSD市場シェア37.3％を記録し、前年同期比で4.5％増加した。これは、インテル（12.2％）よりも約3倍多い数値だ。 - 毎日経済デジタルニュース局 パク・ジンヒョン記者 | (C) mk.co.kr | 入力 2016-09-12 09:17:04
