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サムスン電子、世界で初めて「10ナノプロセス級DRAM時代」を開く
難攻不落「10ナノDRAM」、サムスンが穿つ
- サムスン電子はメモリ半導体分野で、これまで不可能の領域とされていた「10ナノプロセス級DRAM時代」を世界初で開いた。
サムスン電子は去る2月から、世界最小サイズである18ｎｍ（ナノメートル）／8Gb（ギガビット）DRAMを量産し始めたとした。今回量産したDDR4（Double Data Rate 4）はPCやサーバ用途に使われるメモリー半導体で、サムスン電子は今年の上半期内にはスマートフォンに使われる、モバイル用メモリDRAM半導体も10ナノ級技術を適用して量産に乗り出す計画だと付け加えた。 1ナノメートルは10億分の1メートルで、半導体回路の線幅がそれだけ超微細単位で細かく設計されたことを意味する。
2014年当時、世界初の20ナノ4ギガビット DDR3 DRAMを量産したサムスン電子は、今回の10ナノ級8ギガビット DDR4 DRAMの量産で、再びメモリー半導体技術分野で新たなマイルストーンを立てた。
特に、2010年7月に20ナノ級DRAMを量産してから5年7ヶ月ぶりに10ナノ級時代に進入したことは、それだけ技術開発が容易ではなかったことを示している。
サムスン電子メモリー事業部の全永鉉（チョン・ヨンヒョン）社長は、「10ナノ級DRAMは20ナノDRAMよりも速度は30％以上高速でありながらも、消費電力は約20％削減できる」とし、「独自に開発した次世代半導体設計技術を適用して、生産性も30％以上引き上げた」と明らかにした。
サムスン電子は今回の10ナノ級DRAMの量産に成功したことにより、原価低下に伴うコスト削減と高級品に対応する製品の価格上昇効果を同時に狙うことができるようになった。また、競合他社との技術格差も2年以上に再び広げることになった。 - 毎日経済_ソン・ソンフン記者 | (C) mk.co.kr | 入力 2016-04-06 08:27:10
