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iPhone 6SにモバイルDRAMとNAND型フラッシュメモリを供給…SK hynix
- SKハイニックス（代表パク・ソンウク）は「iPhone 6S」にモバイルDRAMとNAND型フラッシュメモリを供給することで、グローバルメモリ市場の攻略に乗り出した。アップルは9日（現地時間）、米国サンフランシスコでiPhone 6Sを公開した。
半導体業界によると10日、SKハイニックスがiPhone 6Sに供給するモバイルDRAMは2GB（ギガバイト）の容量で、20ナノ級の8Gb（ギガビット）LP DDR4製品であることが伝えられた。 LP DDR4モバイルDRAMは、スマートフォンの頭脳に相当する64ビットAP（アプリケーションプロセッサ）に最適化された環境を提供する。 iPhone 6Sに採用されたSKハイニックスのDRAMは、これまでの製品よりも容量が2倍に増えたという特徴がある。以前のiPhoneモデルにもSKハイニックスのDRAMが使用された。
iPhone 6Sに搭載されたNAND型フラッシュメモリもSKハイニックスの製品だ。 NAND型フラッシュメモリは電源を切っても情報が消えないメモリだ。 SKハイニックスはセルあたり3ビット（bit）を格納できるメモリであるTLC（トリプルレベルセル）製品も供給している。
SKハイニックスがアップルにTLC NAND型フラッシュメモリを供給するのは今回が初めてだ。
アップルのiPhone 6Sが今月末に本格的に発売され、SKハイニックスが供給する半導体の量も増加すると予想される。SKハイニックスの関係者は、「第3四半期の出荷量はDRAMが10％、NAND型フラッシュメモリは10％台半ばに増えるものとみられる」と語った。
アップルはSKハイニックスに加え、DRAMとNAND型フラッシュメモリの供給会社として、それぞれサムスン電子と東芝も採択したと伝えられた。 - 毎日経済_チョン・スンファン記者 | (C) mk.co.kr | 入力 2015-09-10 17:33:03
