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SKハイニックス、半導体新工場などへ今年も6兆ウォン投資

「不況時こそ遠く見通す」SKハイニックス、太っ腹の投資 

    • < SKハイニックスの年間投資推移 >

    SKハイニックスは創業以来で最も多くの投資を行った昨年に続き、今年も6兆ウォン規模の投資を行う。世界経済の不確実性が大きくなって半導体需要が鈍化するなかでも、大規模な投資で危機を突破するという覚悟だ。

    グローバル半導体企業を標榜するSKハイニックスは14日、このような内容を盛り込んだ投資計画を発表した。 16日に役員ワークショップを開き、2016年の経営戦略を集中議論する。

    SKハイニックスの計画で最も目立つ内容は、昨年竣工した京畿道・利川(イチョン)所在の半導体新工場「M14」に関連する投資だ。 77メートルの2層構造だが、工場は単独建造物を基準にして世界最大規模の6万6000平方メートル(サッカー場の9.5倍の大きさで、層あたり3万3000平方メートル)だ。 SKハイニックスはこの工場の1階で使用するDRAM生産設備を昨年一部を入庫し、今年もかなりの金額をかけて1階の装備をそろえる予定だ。 SKハイニックスはこれまで空のスペースだった2階にクリーンルーム、電力・環境などの基盤施設を構築し、生産能力を備えるために1兆ウォン以上を投資する。 M14の2階ではNAND型フラッシュメモリ製品を生産すると伝えられている。

    これとあわせて、利川に新規工場の用地も整える一方で、清州(チョンジュ)工場の用地も買い入れる計画だ。 SKハイニックスの関係者は、「M14工場の1階の機器搬入と2階の施設投資、このほかに新規工場の用地買収と整備などを含めた今年の総投資額は昨年と同じ6兆ウォン」だと説明した。

    このようなSKハイニックスの計画は、世界半導体市場の低迷で業界が困難に直面している中で発表されたもので人目を引きつける。市場調査機関の予測によると、SKハイニックスが強気を見せるDRAMとNAND型フラッシュメモリの今年の市場規模は、前年比でそれぞれ9.3%と1.6%減少する見通しだ。これに加えて、中国の国営企業「清華ユニグループ(Tsinghua Unigroup)」などの半導体「崛起」が勢いを増す。

    SKハイニックスは、先制的投資で将来の成長基盤を堅くするという方針だ。 SKハイニックスはSKグループ編入直後の2012年、設備投資を10%以上大幅に拡大するなどの先制的な投資で、これまでの3年間に史上最大の実績を相次いで達成している。

    SKハイニックスは2016年内に回路の線幅が20ナノ(10億分の1メートル)台前半のDRAMを量産し、10ナノ台後半のDRAMを開発するという目標を立てた。回路線幅が微細になるほど半導体の性能・電力効率・コスト競争力が高くなる。これとあわせて、セル(Cell/メモリ最小単位)48段を垂直に積み上げて、性能と容量を大幅に引き上げた3D NAND型フラッシュメモリの新製品を量産する計画だ。

    SKハイニックスはこのような大規模な投資と生産で、国内経済の活性化と協力会社の競争力強化に寄与できるものと期待している。ソウル大学経済研究所は、2021年までにSKハイニックスM14の売上げは、国内経済に55兆ウォンの生産効果と21万人の雇用創出効果を出すという研究結果を発表している。

    しかし、業界の一部ではこれまで予定された投資がほとんどで、今回の発表は「めんぼく用」だという指摘も出ている。 SKハイニックスはM14を含む3つの新工場構築に、総46兆ウォンを投入するとすでに昨年公表した事があり、SKハイニックスがこの日に明らかにした2016年の投資内容は相当部分がこの計画と関連がある。
  • 毎日経済_イ・ギチャン記者 | (C) mk.co.kr | 入力 2016-01-14 19:58:03