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サムスン電子、世界最速のDRAM量産…配列面積は95％以上削減
- サムスン電子は19日、世界最高の速度を誇る次世代半導体である「4ギガバイト（GB）HBM2（高帯域幅メモリ／High Bandwidth Memory）DRAM」を本格的に量産すると明らかにした。 HBMの第2世代は、道路にたとえれば自動車を移動させる車線が増えて、速度も速くなった高速道路のような概念だ。
今回量産するDRAMは、現存する最高速度のDRAMよりも7倍以上速いため、超高性能のスーパーコンピュータのような製品で本格的に活用される可能性が大きい。この製品で次世代のグラフィックスカードや超高性能コンピューティング環境で必要とされる「超低消費電力・超スリム・高信頼性」まで実現した。高速メモリと次世代グラフィックスDRAM市場を先取りできるきっかけを作ったと評価される。
DRAMの速度を世界最高にまで引き上つつ、消費電力や占有面積を最小限に抑えることができたのは「シリコン貫通電極（TSV）技術」を適用したためだ。 TSV技術はDRAMチップを一般の紙の厚さの半分よりもさらに薄く削り、次に数百個の微細な穴をあけて上段のチップと下段のチップの穴を垂直に貫通する電極で接続した、先端パッケージング技術をいう。平面的に広げると回路間の距離が長くなるが、上下に重ね合わせることに変更すれば、それだけ移動距離を大きく削減しつつ効率を高めることができる。
これによってワット（W）あたりのデータ転送量も2倍に高め、消費電力を大幅に下げた。グラフィックカードなどに搭載される場合は、平面上のDRAM配列面積を95％以上削減することができる。たとえば8ギガバイトのグラフィックカードにGDDR5を搭載すると8つのチップを平面上に広く配置する必要があるが、4GB HBM2 DRAMは2つのチップのみで構成が可能だ。
サムスン電子は今年の上半期中に、さらに容量を2倍に上げた8GB HBM DRAMも量産する計画だ。
サムスン電子メモリー事業部マーケティングチームのチョン・セウォン専務は、「次世代HBM2 DRAMの量産で、グローバルIT企業が超高性能次世代HPC（High Performance Computing）を適時に導入するところに大きく寄与することになった」とし、「3次元メモリ技術を土台に、グローバルIT市場の変化に一歩先んじて対応する」と語った。 HPCはスーパーコンピュータやビッグデータ専用の、クラウドサービスのような場所で提供される超高性能コンピューティングシステムをいう。サムスン電子はまた、次世代HBMのラインナップをさらに増やし、高速コンピューティング用のHBM市場を先取りする方針だ。 - 毎日経済_ソン・ソンフン記者 | (C) mk.co.kr | 入力 2016-01-19 18:01:24
