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サムスン電子、第2世代10ナノメートルプロセスの開発完了
- サムスン電子は華城（ファソン）にある「S3」ラインで、受託型システム半導体を生産する。このため来年の第4四半期までに、この工場の設備増設を進める。
20日、サムスン電子は半導体のファウンドリ（受託生産）需要の増加に対応するために、10ナノメートルのシステム半導体ラインを増設すると発表した。メモリー半導体はデータを保存する役割を果たし、システム半導体は演算・制御などの情報処理機能を果たすことが特徴だ。
S3ラインはもともとシステム半導体を製造するための専用ラインとして建設されたが、これまでDRAMやNAND型フラッシュメモリーなどのメモリー半導体の生産に利用された。 S3ラインが完成した2015年以降、サムスン電子が予想したよりもシステム半導体の受託生産を依頼する企業が多くなかったからだ。
しかし最近になってモノのインターネット（IoT）、ウェアラブルコンピュータ、ネットワーク（モデム）、コンピューティング（中央処理装置）などのシステム半導体の使い道が増えたことで、サムスン電子はこの工場でほんらいの計画通りに2019年からシステム半導体を量産する計画だ。
サムスン電子は最近、第2世代の10ナノメートルFinFETプロセスを開発した。昨年10月に業界初で量産に成功して6ヶ月ぶりだ。 第2世代10ナノメートルプロセスは、従来の第1世代プロセスよりも性能と電力効率がそれぞれ10％と15％向上した。 - 毎日経済_イ・ドンイ記者 | (C) mk.co.kr | 入力 2017-04-20 19:59:11
