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サムスン「非メモリ世界1位戦略」に速度加える
サムスン電子は去る4月に「2030年システム半導体（モバイルAP、イメージセンサー、ファウンドリなど）1位達成」ビジョンを提示した後、ファウンドリ（半導体受託生産）とイメージセンサーなど、競合他社よりも一歩進んだ技術を公開して積極的な投資の動きを見せている。ファウンドリで世界1位の台湾TSMC社と、イメージセンサーのライバルである日ソニーなどが技術開発と投資などで対抗している状況で、李在鎔（イ・ヂェヨン）サムスン電子副会長は1日、半導体事業部門の社長団との会合を開いて「システム半導体1位のための投資（2030年までに133兆ウォン）を滞りなく進めるように」と注文することにより、関連する研究開発（R＆D）と投資にさらに速度が加わるものと予想される。
李副会長は去る1日、金奇南(キム・ギナム)副会長と秦教英（チン・ギョヨン）、カン・インヨプ社長、鄭殷昇（チョン・ウンスン）社長などの半導体幹部らと会合を開いてメモリー事業に対する戦略を立て、システム半導体への投資戦略などを点検した。
この席で李副会長は、「サムスンは第4次産業革命のエンジンであるシステム半導体分野で、2030年に世界1位になるという目標を立てた」とし、「このために用意した133兆ウォンの投資計画の執行に万全を期してほしい」と念を押した。
キム・ギナム副会長は、「世界的な経営環境の変化に対する対応の方向を定め、同時に数百兆ウォンの大規模な投資を支障なく推進するために用意された席であり、社長でも共感していま一度覚悟を固めた」とした。李副会長がシステム半導体1位達成と投資への強い意志を経営陣にいま一度強調することにより、関連する研究開発と投資に対していっそう速度がつくものと予想される。サムスン電子はすでに去る4月にシステム半導体ビジョンを発表した後、ファウンドリとイメージセンサーなどで競合他社よりも進んだ新技術と新製品を公開して、市場をリードする跳躍のための決然とした意志を見せている。
まず、システム半導体事業の中核の一つであるファウンドリで、サムスン電子は先月、今年の初めに量産を開始した7ナノメートルプロセス（1ナノは10億分の1メートル）製品よりも性能を35％改善した3ナノメートルプロセス製品を来年に開発し、2022年から量産すると発表した。 3ナノ製品の開発・量産スケジュールを具体的に明らかにしたのはサムスン電子が初めてだ。 3ナノ製品は今年の初め、サムスン電子が量産を開始した7ナノに比べてチップ面積と消費電力をそれぞれ45％と50％減らすことができ、性能は35％改善される。 台湾TSMCも3ナノ製品の開発を推進しているが、まだ具体的なスケジュールは公開していない。
サムスン電子は先月、0.8マイクロメートル（100万分の1メートル）の大きさの超小型ピクセルを適用した超高画素イメージセンサー新製品「アイソセルブライトGW1（6400万画素）」と「アイソセルブライトGM2（4800万画素）」を公開し、ソニーを追撃するための準備を整えた。イメージセンサーはカメラレンズを通じて入ってきた外部のイメージをデジタル信号に変換する役割を果たすもので、スマートフォンや自動車、デジタルカメラなどに活用される。
ソニーは0.8マイクロメートルのピクセルを活用して、4800万画素のイメージセンサーを作っている。サムスン電子の積極的な動きで、TSMCとソニーも投資を増額するなど反撃を行っている。先月、TSMCは2021年から「5ナノメートルプラス」マイクロプロセス技術をファウンドリに適用し、半導体を量産するという計画を発表した。また最近、台湾の情報技術（IT）メディアによると、TSMCはファウンドリのマイクロプロセスをはじめとする尖端プロセスのために約40億ドルを投資することにした。- 毎日経済＿キム・ギュシク記者/ファン・スンミン記者 | (C) mk.co.kr | 入力 2019-06-03 17:57:10
