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サムスン電子、4世代V-NANDソリューションを発表…下半期SSD市場攻略始動
- △写真＝高容量サーバー用 32TB SAS SSD
サムスン電子は10日（現地時間）米国サンタクララコンベンションセンターにて開かれた「フラッシュメモリサミット2016（Flash Memory Summit and Exhibition 2016）」にて次世代V-NANDソリューションを電撃公開した。フラッシュメモリサミットは毎年米国で開催される、世界最大フラッシュメモリ業界会議だ。今年は今月8日から11日まで進行される。
サムスン電子はこの日、4世代（64段）V-NAND技術をもとにした3次元メモリ技術リーダーシップを強固にし、超高容量の「テラ」時代をリードしていくと明かした。ビッグデータの増加と高速処理、データセンター管理費用削減など、市場要求に向き合って ▲高容量 ▲高性能 ▲超小型ソリューションで企業顧客たちのIT投資効率を極大化するという説明だ。
サムスン電子メモリ事業部チョン・ヨンヒョン社長は「4世代V-NANDとしてストレージシステムのTCO（Total Cost of Ownership）削減効果を極大化することができるようになった」とし「今後独歩的なV-NAND技術をもとにストレージ事業領域を持続的に拡大していく」と話した。
会社はこの日、新製品として既存3世代（48段）製品対比、積層段数を30%高めた「4世代（64段）V-NAND」をはじめとして「高容量サーバー用 32TB SAS SSD」、ウルトラスリム「PC用 1TB BGA NVMe SSD」、「ハイエンド用 Z- SSD」などを披露した。△写真左から＝PC用 1TB BGA NVMe SSD、ハイエンド用 Z- SSD
4世代V-NANDは512Gまで具現可能であり、高容量製品を小型パッケージとして作ることができ、入出力速度は800Mbpsに達する。サムスン電子は世界ではじめて4世代V-NAND基盤ソリューション製品を来る第4四半期にリリースする予定だ。
32TB SAS SSDはサムスン電子の4世代V-NANDを搭載して16TBである既存製品よりも容量を2倍高めた世界最大容量を支援する。既存のHDDで構成されたシステム（2 rack基準）がこの製品を代替すれば、システムの物理的な空間を約40分の1に減らすことができる。32TB SAS SSDは来年にリリースされる。会社は今後2020年までに100TB以上の超高容量SSDを開発する計画だ。
1TB BGA NVMe SSDはサムスン電子がサムスン電気と共に高集積パッケージ技術（FO-PLP）を共同開発し適用した製品で、来年中のリリース予定だ。1セント硬貨大の超小型製品で、ウルトラスリムPCとノートブックなどのバッテリー空間確保、薄いデザイン具現に大きく寄与するものと見られる。
読み取り速度は既存SSDより3倍速い1500MB/sであり、高速書き込みも支援して書き込み速度は900MB/sに達する。Z-SSDはV-NAND、コントローラーなどに動作回路を構成してストレージの性能を高めた超高性能ハイエンドSSD製品だ。NVMe SSD対比、応答時間4倍以上、連続読み取り速度は1.6倍速い。サムスン電子はZ-SSDを来年に披露する計画だ。 - 毎日経済デジタルニュース局_パク・ジンヒョン記者 | (C) mk.co.kr | 入力 2016-08-11 08:40:41
