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SKハイニックス、世界初で「DDR5 DRAM」を開発
SKハイニックスが尖端技術を採用したメモリー半導体の開発に相次いで成功し、後発メーカーとの技術格差を拡大している。
SKハイニックスは15日、国際半導体標準協議機構（JEDEC）の公式規格を適用した「DDR（ダブルデータレート）5」DRAMを世界で初めて開発したと発表した。
DDRはPCに使用されるDRAMの標準規格だ。現在はデータ転送速度が毎秒1600～3200メガビット（Mb）レベルの「DDR4」が主に使用される。
SKハイニックスが今回開発したDDR5 DRAMは、既存のDDR4 DRAMよりも動作電圧を下げて消費電力を30％削減しつつ、転送速度は毎秒5200メガビットで既存製品の1.6倍にまで引き上げた。今回の製品ではこのようなデータ経路（I ／ O）が64本あるが、これを換算すると一編3.7ギガバイト（GB）容量のフルHD級映画11編に該当する41.6GBを1秒で処理することができる水準だ。
SKハイニックスはさいきん開発された第2世代の10ナノ級8ギガビット（Gb）DDR4 DRAMに続き、同じマイクロプロセスを適用した16Gb DDR5も主要チップセットメーカーに提供することにより、業界をリードする技術競争力を確保することになったと説明した。
今回チップセットメーカーに提供された製品は、サーバ用とPC用製品に国際標準に合わせてデータを格納するセル領域の単位管理区域を16個から32個に拡張し、一度に処理するデータの数も8個から16個に増やした。特にチップ内部にエラー訂正回路を内蔵しており、大容量システムの信頼性を飛躍的に向上させることが期待される。
今回の製品にはDRAMの読み取りと書き込み回路を最適の状態に調整する「高速トレーニング技術」など、高速動作のための先端技術も内蔵した。
チョ・ヂュファンSKハイニックスDRAM開発事業常務は、「世界初で標準規格のDDR5 DRAM製品を作った技術競争力を基盤に、この市場が開かれる2020年から本格的に量産を開始し、顧客の需要に積極的に対応する」と説明した。
市場調査機関のIDCは、DDR5の需要は2020年から本格的に発生して2021年にはDRAM市場全体の25％、2022年には44％にまで拡大すると予想した。
半導体業界では、世界の市場をリードしているサムスン電子とSKハイニックスが尖端技術を相次いで打ち出して、競合他社を引き離す超格差戦略に速度を加えているという分析が出ている。サムスン電子は最近、携帯電話用のLP（低消費電力）DDR5 DRAMとグラフィックスのためのGDDR6 DRAMを開発・量産して、高速・高容量化するDRAM需要に対応している。
またファウンドリー（半導体受託生産）の競争力強化のために、極紫外線（EUV）を活用した10ナノ以下の超微細工程を来年から稼動する予定だ。 SKハイニックスは尖端技術を適用して、既存の3D NAND型フラッシュよりも一段階進化した96段4D NAND型フラッシュを開発し、年内に量産に突入する。
SKハイニックス、世界初で「DDR5 DRAM」を開発
SKハイニックスが尖端技術を採用したメモリー半導体の開発に相次いで成功し、後発メーカーとの技術格差を拡大している。
SKハイニックスは15日、国際半導体標準協議機構（JEDEC）の公式規格を適用した「DDR（ダブルデータレート）5」DRAMを世界で初めて開発したと発表した。
DDRはPCに使用されるDRAMの標準規格だ。現在はデータ転送速度が毎秒1600～3200メガビット（Mb）レベルの「DDR4」が主に使用される。
SKハイニックスが今回開発したDDR5 DRAMは、既存のDDR4 DRAMよりも動作電圧を下げて消費電力を30％削減しつつ、転送速度は毎秒5200メガビットで既存製品の1.6倍にまで引き上げた。今回の製品ではこのようなデータ経路（I ／ O）が64本あるが、これを換算すると一編3.7ギガバイト（GB）容量のフルHD級映画11編に該当する41.6GBを1秒で処理することができる水準だ。
SKハイニックスはさいきん開発された第2世代の10ナノ級8ギガビット（Gb）DDR4 DRAMに続き、同じマイクロプロセスを適用した16Gb DDR5も主要チップセットメーカーに提供することにより、業界をリードする技術競争力を確保することになったと説明した。
今回チップセットメーカーに提供された製品は、サーバ用とPC用製品に国際標準に合わせてデータを格納するセル領域の単位管理区域を16個から32個に拡張し、一度に処理するデータの数も8個から16個に増やした。特にチップ内部にエラー訂正回路を内蔵しており、大容量システムの信頼性を飛躍的に向上させることが期待される。
今回の製品にはDRAMの読み取りと書き込み回路を最適の状態に調整する「高速トレーニング技術」など、高速動作のための先端技術も内蔵した。
チョ・ヂュファンSKハイニックスDRAM開発事業常務は、「世界初で標準規格のDDR5 DRAM製品を作った技術競争力を基盤に、この市場が開かれる2020年から本格的に量産を開始し、顧客の需要に積極的に対応する」と説明した。
市場調査機関のIDCは、DDR5の需要は2020年から本格的に発生して2021年にはDRAM市場全体の25％、2022年には44％にまで拡大すると予想した。
半導体業界では、世界の市場をリードしているサムスン電子とSKハイニックスが尖端技術を相次いで打ち出して、競合他社を引き離す超格差戦略に速度を加えているという分析が出ている。サムスン電子は最近、携帯電話用のLP（低消費電力）DDR5 DRAMとグラフィックスのためのGDDR6 DRAMを開発・量産して、高速・高容量化するDRAM需要に対応している。
またファウンドリー（半導体受託生産）の競争力強化のために、極紫外線（EUV）を活用した10ナノ以下の超微細工程を来年から稼動する予定だ。 SKハイニックスは尖端技術を適用して、既存の3D NAND型フラッシュよりも一段階進化した96段4D NAND型フラッシュを開発し、年内に量産に突入する。
- 毎日経済＝チョン・ギョンウン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2018-11-15 17:27:30
