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SKハイニックスまた実績記録...夢の営業利益率57％
SKハイニックスが米・中貿易戦争とメモリー半導体価格の下落などの悪材料にもかかわらず出荷を増やし、第3四半期に再び史上最高の実績をあげた。
SKハイニックスは販売量を土台に2四半期連続で業績記録の行進を続けたが、一部ではメモリ価格の追加下落の可能性と、売上げの80％をDRAMに依存する事業構造などを理由に、今後の業績に懸念を示している。 SKハイニックス側は「スマート機器の普及と新技術の拡散やサーバーの拡大などによって長期的な需要が十分なので、べつに問題はない」という立場だ。
SKハイニックスは25日、第3四半期に売上げ11兆4168億ウォンと営業利益6兆4724億ウォンを記録したと明らかにした。
これは前年同期との対比でそれぞれ40.9％と73.2％の増加だ。前四半期に立てた歴代最大記録を1四半期ぶりに更新したことはもちろん、創立以来で初めて四半期の売上高11兆ウォンと営業利益6兆ウォンを突破した。特に第3四半期の営業利益は、国内証券会社が予想した数値（6兆3237億ウォン）を軽く上回った。第3四半期の当期純利益も4兆6922億ウォンで、前年同期の3兆555億ウォンよりも53.6％増加し、売上高・営業利益・当期純利益ともに際立った実績増加を成し遂げた。営業利益率（売上高に対する営業利益の比率）は56.7％で、第2四半期の過去最高（53.7％）よりも高かった。 100ウォンを売って57ウォンを残したという意味で、製造業では驚異的な数値だ。
SKハイニックスは今年の第1四半期から3四半期連続で、50％台の営業利益率を維持している。世界第3位の半導体メーカーである米マイクロン社は、第3四半期（5～7月）の営業利益率が50.7％を記録して初めて50％を突破したがSKハイニックスには及ばない。
SKハイニックスは、DRAM価格の上昇鈍化とNAND型フラッシュの価格下落にもかかわらず、2四半期連続で業績記録の行進を継続したことについては、出荷量が大幅に増加したおかげだと説明した。 DRAMはサーバー用途の需要とモバイル製品のシーズン効果に力づけられて出荷量が前期比で5％増え、NAND型フラッシュメモリはモバイルの高容量化傾向に積極的に対応したこととソリッドステートドライブ（SSD）の割合が拡大し、前四半期比で19％増加した。一方、DRAMの平均販売価格は前四半期比で1％の増加にとどまり、NAND型フラッシュの平均販売価格は10％落ちて二桁の下落率を記録した。
とは言え、メモリ価格の下落が引き続く中で、第4四半期には業績記録の行進にブレーキがかかることがあるだろうという見方も出ている。証券業界では、第4四半期の売上高は第3四半期と同様の水準を維持するが、営業利益は6兆ウォン台に下がり、営業利益率が下落するだろうと予想した。しかし今年の営業利益は22兆ウォン台で、新しい歴史を書くことは事実上確定した形だ。
SKハイニックスは今後、DRAM市場に対する供給不足が緩和され始めた中で、グローバルな貿易紛争や金利上昇などのマクロ経済変数が影響を及ぼしながら、需要の不確実性が拡大すると予想した。 NAND型フラッシュメモリ市場は、各ベンダーの量産拡大と上半期に積もった在庫販売の影響で価格下落が続くものと予想した。これとともに、適用分野別の高容量化の流れに沿って、需要面でも成長が持続すると予想した。特にエンタープライズSSD市場での価格下落に支えられ、需要が本格的に成長するだろうとSK側は予想した。
SKハイニックスのイ・ミョンヨン経営支援担当副社長は、「急激な成長を続けてきたサーバ用製品の需要は、短期的に調整があると思われる」と言いながらも「人工知能（AI）サーバーなどの大容量メモリを必要とする新規技術の導入を考慮すれば、中・長期の需要成長は疑いの余地はない」と説明した。イ副社長は「DRAM価格の上昇は鈍化しているが、価格が急落する可能性はない」とし「来年の下半期に価格が反騰すると予想される」と付け加えた。
市場調査会社のDRAMエクスチェンジは、最近の報告書で来年はDRAM価格が今年よりも15～20％下落して、NAND型フラッシュメモリの価格は25～30％低下するという分析結果を出した。 DRAMの価格は第4四半期に5％以上も下落した後、来年には下げ幅が大きくなるという見通しだ。
SKハイニックスは、メモリ半導体市場に対する不確実性が増大されることにともない、新規プロセスの開発と量産設備の安定運用を通じて積極的に対応するという計画だ。 DRAMは第2世代の10ナノ級マイクロプロセス技術の開発を年内に完了し、中国の無錫工場のクリーンルーム拡張も今年中に仕上げ、来年の上半期から量産に入る方針だ。
NAND型フラッシュメモリは第4世代の3D製品を基盤に、モバイルとエンタープライズSSD市場でのプレゼンスを拡大すると同時に、第5世代3D製品である96段NAND型フラッシュメモリの開発を今年中に完了し、清州M15工場を計画通りに来年上半期から稼動できるように準備する予定だ。
同社の関係者は、「対外環境の変化にともなう需要変動性の拡大にそなえ、市場の状況に応じて、年間ではなく四半期ごとに柔軟に投資を行う」と語った。
SKハイニックスまた実績記録...夢の営業利益率57％
売上と営業利益率の推移
SKハイニックスが米・中貿易戦争とメモリー半導体価格の下落などの悪材料にもかかわらず出荷を増やし、第3四半期に再び史上最高の実績をあげた。
第3四半期の製品別売り上げ比率
SKハイニックスは販売量を土台に2四半期連続で業績記録の行進を続けたが、一部ではメモリ価格の追加下落の可能性と、売上げの80％をDRAMに依存する事業構造などを理由に、今後の業績に懸念を示している。 SKハイニックス側は「スマート機器の普及と新技術の拡散やサーバーの拡大などによって長期的な需要が十分なので、べつに問題はない」という立場だ。
SKハイニックスは25日、第3四半期に売上げ11兆4168億ウォンと営業利益6兆4724億ウォンを記録したと明らかにした。
これは前年同期との対比でそれぞれ40.9％と73.2％の増加だ。前四半期に立てた歴代最大記録を1四半期ぶりに更新したことはもちろん、創立以来で初めて四半期の売上高11兆ウォンと営業利益6兆ウォンを突破した。特に第3四半期の営業利益は、国内証券会社が予想した数値（6兆3237億ウォン）を軽く上回った。第3四半期の当期純利益も4兆6922億ウォンで、前年同期の3兆555億ウォンよりも53.6％増加し、売上高・営業利益・当期純利益ともに際立った実績増加を成し遂げた。営業利益率（売上高に対する営業利益の比率）は56.7％で、第2四半期の過去最高（53.7％）よりも高かった。 100ウォンを売って57ウォンを残したという意味で、製造業では驚異的な数値だ。
SKハイニックスは今年の第1四半期から3四半期連続で、50％台の営業利益率を維持している。世界第3位の半導体メーカーである米マイクロン社は、第3四半期（5～7月）の営業利益率が50.7％を記録して初めて50％を突破したがSKハイニックスには及ばない。
SKハイニックスは、DRAM価格の上昇鈍化とNAND型フラッシュの価格下落にもかかわらず、2四半期連続で業績記録の行進を継続したことについては、出荷量が大幅に増加したおかげだと説明した。 DRAMはサーバー用途の需要とモバイル製品のシーズン効果に力づけられて出荷量が前期比で5％増え、NAND型フラッシュメモリはモバイルの高容量化傾向に積極的に対応したこととソリッドステートドライブ（SSD）の割合が拡大し、前四半期比で19％増加した。一方、DRAMの平均販売価格は前四半期比で1％の増加にとどまり、NAND型フラッシュの平均販売価格は10％落ちて二桁の下落率を記録した。
とは言え、メモリ価格の下落が引き続く中で、第4四半期には業績記録の行進にブレーキがかかることがあるだろうという見方も出ている。証券業界では、第4四半期の売上高は第3四半期と同様の水準を維持するが、営業利益は6兆ウォン台に下がり、営業利益率が下落するだろうと予想した。しかし今年の営業利益は22兆ウォン台で、新しい歴史を書くことは事実上確定した形だ。
SKハイニックスは今後、DRAM市場に対する供給不足が緩和され始めた中で、グローバルな貿易紛争や金利上昇などのマクロ経済変数が影響を及ぼしながら、需要の不確実性が拡大すると予想した。 NAND型フラッシュメモリ市場は、各ベンダーの量産拡大と上半期に積もった在庫販売の影響で価格下落が続くものと予想した。これとともに、適用分野別の高容量化の流れに沿って、需要面でも成長が持続すると予想した。特にエンタープライズSSD市場での価格下落に支えられ、需要が本格的に成長するだろうとSK側は予想した。
SKハイニックスのイ・ミョンヨン経営支援担当副社長は、「急激な成長を続けてきたサーバ用製品の需要は、短期的に調整があると思われる」と言いながらも「人工知能（AI）サーバーなどの大容量メモリを必要とする新規技術の導入を考慮すれば、中・長期の需要成長は疑いの余地はない」と説明した。イ副社長は「DRAM価格の上昇は鈍化しているが、価格が急落する可能性はない」とし「来年の下半期に価格が反騰すると予想される」と付け加えた。
市場調査会社のDRAMエクスチェンジは、最近の報告書で来年はDRAM価格が今年よりも15～20％下落して、NAND型フラッシュメモリの価格は25～30％低下するという分析結果を出した。 DRAMの価格は第4四半期に5％以上も下落した後、来年には下げ幅が大きくなるという見通しだ。
SKハイニックスは、メモリ半導体市場に対する不確実性が増大されることにともない、新規プロセスの開発と量産設備の安定運用を通じて積極的に対応するという計画だ。 DRAMは第2世代の10ナノ級マイクロプロセス技術の開発を年内に完了し、中国の無錫工場のクリーンルーム拡張も今年中に仕上げ、来年の上半期から量産に入る方針だ。
NAND型フラッシュメモリは第4世代の3D製品を基盤に、モバイルとエンタープライズSSD市場でのプレゼンスを拡大すると同時に、第5世代3D製品である96段NAND型フラッシュメモリの開発を今年中に完了し、清州M15工場を計画通りに来年上半期から稼動できるように準備する予定だ。
同社の関係者は、「対外環境の変化にともなう需要変動性の拡大にそなえ、市場の状況に応じて、年間ではなく四半期ごとに柔軟に投資を行う」と語った。
- 毎日経済＿チョン・ギョンウン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2018-10-26 06:26:52
