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サムスン、ファウンドリ事業「跳躍の足場」
EUV 7ナノメートルプロセス世界初で成功
サムスン電子は「半導体受託生産（ファウンドリー）7ナノメートルプロセス」で、より細かく回路を刻める次世代の技術である「極紫外線（EUV）露光技術」の開発を完了し、製品の生産に入った。
回路幅を細くして性能・効率を高める微細プロセスに競合他社がまだ実用化していないEUV技術を適用することで、台湾のメーカーが強気を見せてきたファウンドリで市場支配力を引き上げることができる足場を整えた。サムスン電子は17日（現地時間）、米シリコンバレーで「サムスンテックデー2018」を開催し、次世代の半導体ソリューションを公開して7ナノメートルプロセスにEUVを適用し、製品を初期生産することに成功したと発表した。
同社は来年からEUV技術を活用した半導体の量産に入る予定だ。
サムスン電子は去る2月、京畿華城キャンパスでEUV生産ラインに着工し、2020年までに6兆5000億ウォンを投資する計画だ。 8月には李在鎔（イ・ヂェヨン）サムスン電子副会長が華城キャンパス半導体研究所でEUV装置を見ながら、ファンドリー育成戦略を立てることもした。今回の製品の生産は新たに建設したEUVラインではなく、既存の生産ラインにEUV装置を設置することで行われた。
サムスン電子はEUV技術が半導体マイクロプロセスの中核となるものと判断している。半導体は限られた大きさの中にどれほどの回路を刻んで入れるかが性能・電力効率に影響を及ぼす。 「○○ナノ」プロセスで○○の数字が小さくなるほど微細化が進んだことになる。 5ナノや3ナノなどに継続して微細化をするためには、既存の不活性アルゴン（ArF）を利用する方法では限界があり、EUVを活用しなければならないというのが業界の意見だ。 EUVは機器の価格が台1500億ウォンに達するほど高く、技術難度も高くて他のファウンドリは活用できていない。
外部業者が設計した半導体を委託を受けて製造するファウンドリでは、これまで台湾メーカーが強気を見せている。トレンドフォースによると、昨年のファウンドリ市場で台湾のTSMC社は55.9％のシェアで1位を占め、2位は米国のグローバルファウンドリー（9.4％）、3位の台湾UMC（8.5％）、4位がサムスン電子（7.7％）の順だった。
しかし最近の世界的なファウンドリーなどが7ナノメートルプロセスの開発を中止すると宣言することにより、地殻変動の機運が漂っている。 TSMCはフッ化アルゴンを活用して7ナノプロセスに成功したが、まだEUVは活用していないように見える。サムスン電子DS部門米州統括のボブ・ステア シニアディレクターはこの日の技術デーで、「7ナノプロセスはサムスン電子がEUV技術を適用する最初のファウンドリー」だとし、「今回に生産を開始で7ナノプロセスの商用化はもちろん、今後は3ナノに至るまでの微細化をリードできる基盤を整えた」と説明した。
一方、サムスン電子は技術デー2018で、世界初で「256ギガバイト（GB）3DS RDIMM」と企業用の7.68テラバイト（TB）クラスの4ビットサーバーソリッドステートドライブ（SSD）、第6世代V NAND型フラッシュメモリ技術、第2世代のZ-SSDなどを公開した。 3DS RDIMMはシリコン3次元積層技術を適用し、高速動作できるように製造されたサーバ用DRAMだ。既存の製品（128GB RDIMM）に比べ、容量は2倍に大きくなって電力効率は30％改善した。また、京畿道平沢の生産ラインでV NAND型とDRAMの量産規模を持続して拡大し、需要に積極的に対応するという計画も発表した。
回路幅を細くして性能・効率を高める微細プロセスに競合他社がまだ実用化していないEUV技術を適用することで、台湾のメーカーが強気を見せてきたファウンドリで市場支配力を引き上げることができる足場を整えた。サムスン電子は17日（現地時間）、米シリコンバレーで「サムスンテックデー2018」を開催し、次世代の半導体ソリューションを公開して7ナノメートルプロセスにEUVを適用し、製品を初期生産することに成功したと発表した。
同社は来年からEUV技術を活用した半導体の量産に入る予定だ。
サムスン電子は去る2月、京畿華城キャンパスでEUV生産ラインに着工し、2020年までに6兆5000億ウォンを投資する計画だ。 8月には李在鎔（イ・ヂェヨン）サムスン電子副会長が華城キャンパス半導体研究所でEUV装置を見ながら、ファンドリー育成戦略を立てることもした。今回の製品の生産は新たに建設したEUVラインではなく、既存の生産ラインにEUV装置を設置することで行われた。
サムスン電子はEUV技術が半導体マイクロプロセスの中核となるものと判断している。半導体は限られた大きさの中にどれほどの回路を刻んで入れるかが性能・電力効率に影響を及ぼす。 「○○ナノ」プロセスで○○の数字が小さくなるほど微細化が進んだことになる。 5ナノや3ナノなどに継続して微細化をするためには、既存の不活性アルゴン（ArF）を利用する方法では限界があり、EUVを活用しなければならないというのが業界の意見だ。 EUVは機器の価格が台1500億ウォンに達するほど高く、技術難度も高くて他のファウンドリは活用できていない。
外部業者が設計した半導体を委託を受けて製造するファウンドリでは、これまで台湾メーカーが強気を見せている。トレンドフォースによると、昨年のファウンドリ市場で台湾のTSMC社は55.9％のシェアで1位を占め、2位は米国のグローバルファウンドリー（9.4％）、3位の台湾UMC（8.5％）、4位がサムスン電子（7.7％）の順だった。
しかし最近の世界的なファウンドリーなどが7ナノメートルプロセスの開発を中止すると宣言することにより、地殻変動の機運が漂っている。 TSMCはフッ化アルゴンを活用して7ナノプロセスに成功したが、まだEUVは活用していないように見える。サムスン電子DS部門米州統括のボブ・ステア シニアディレクターはこの日の技術デーで、「7ナノプロセスはサムスン電子がEUV技術を適用する最初のファウンドリー」だとし、「今回に生産を開始で7ナノプロセスの商用化はもちろん、今後は3ナノに至るまでの微細化をリードできる基盤を整えた」と説明した。
一方、サムスン電子は技術デー2018で、世界初で「256ギガバイト（GB）3DS RDIMM」と企業用の7.68テラバイト（TB）クラスの4ビットサーバーソリッドステートドライブ（SSD）、第6世代V NAND型フラッシュメモリ技術、第2世代のZ-SSDなどを公開した。 3DS RDIMMはシリコン3次元積層技術を適用し、高速動作できるように製造されたサーバ用DRAMだ。既存の製品（128GB RDIMM）に比べ、容量は2倍に大きくなって電力効率は30％改善した。また、京畿道平沢の生産ラインでV NAND型とDRAMの量産規模を持続して拡大し、需要に積極的に対応するという計画も発表した。
- 毎日経済＿キム・ギュシク記者／チョン・ギョンウン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2018-10-18 18:06:23
