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サムスン電子、容量・速度の限界突破した企業向けSSD量産
5倍速く容量は2倍
速度と容量の限界を突破したSSD（ソリッド・ステート・ドライブ）が誕生した。SSDはディスクにデータを保存するこれまでのHDD（ハードディスクドライブ）とは異なり、USBメモリに使用される半導体にデータを記録することで、速度と安定性を高めた保存装置だ。
サムスン電子は25日、3次元V NAND型フラッシュを搭載したカードタイプのNVMe規格SSDの量産を開始したと明らかにした。この製品はこれまでのSSDよりも処理速度が5倍以上高速で、はじめて3TB（テラバイト）という容量の限界を克服した製品だ。
新しいSSDのデータの連続読み取り速度は毎秒3000MB（メガバイト）に達する。これまでのSSD製品の連続読み取り速度は毎秒500～600メガバイトにとどまった。ランダムな読み取り速度は毎秒75万回の入出力が可能となり、従来製品よりも7倍以上速い。
容量もこれまでの最大容量1.6テラバイトの2倍の、3.2テラバイトを実現した。新しいSSDの基盤となる3次元V NAND型フラッシュメモリはサムスン電子だけの独自技術で、半導体セルを縦に積んで処理速度と電力効率を高めた製品だ。
サムスン電子メモリー事業部のペク・チホ マーケティングチーム長は、「3次元NAND型フラッシュメモリを搭載した最高容量の次世代NVMe規格SSDを発売することにより、大容量SSD市場を大幅に拡大させることになった」とし、「今後、次世代V NAND型フラッシュメモリに基盤した高性能・大容量・高信頼性の、多様なSSDソリューションを提供する」と語った。
サムスン電子は25日、3次元V NAND型フラッシュを搭載したカードタイプのNVMe規格SSDの量産を開始したと明らかにした。この製品はこれまでのSSDよりも処理速度が5倍以上高速で、はじめて3TB（テラバイト）という容量の限界を克服した製品だ。
新しいSSDのデータの連続読み取り速度は毎秒3000MB（メガバイト）に達する。これまでのSSD製品の連続読み取り速度は毎秒500～600メガバイトにとどまった。ランダムな読み取り速度は毎秒75万回の入出力が可能となり、従来製品よりも7倍以上速い。
容量もこれまでの最大容量1.6テラバイトの2倍の、3.2テラバイトを実現した。新しいSSDの基盤となる3次元V NAND型フラッシュメモリはサムスン電子だけの独自技術で、半導体セルを縦に積んで処理速度と電力効率を高めた製品だ。
サムスン電子メモリー事業部のペク・チホ マーケティングチーム長は、「3次元NAND型フラッシュメモリを搭載した最高容量の次世代NVMe規格SSDを発売することにより、大容量SSD市場を大幅に拡大させることになった」とし、「今後、次世代V NAND型フラッシュメモリに基盤した高性能・大容量・高信頼性の、多様なSSDソリューションを提供する」と語った。
- 毎日経済_イ・ヂンミョン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2014-09-25 17:21:34
