トップ > 数字経済 > 企業 > SKハイニックス、営業利益率30％で史上最高…第4四半期の見通し明るく
SKハイニックスはSKグループに編入されてから3年目の今年、第3四半期の営業利益率30％と売上げが4兆3000億ウォンを突破するなど、史上最大の実績を達成した。特に今年の設備投資として総4兆ウォンあまりを執行し、来年も5兆ウォンを超える金額を投資するなど、将来を見据えた経営活動を続けている。崔泰源（チェ・テウォン）会長が役員らの反対するなか、強い意志を持って買収した半導体事業がSKグループの核心的キャッシュカウの役割を果たしている。
SKハイニックスは23日の実績発表とコンファレンス・コールで、第3四半期は売上げ4兆3121億ウォン、営業利益1兆3010億ウォン、純利益1兆951億ウォンを記録したと発表した。前年同期との対比で売上げは6％増加し、営業利益は12％増となった。特に営業利益率は昨年第3四半期の29％を超えて30％を達成した。SKハイニックスによると、第3四半期のDRAMとNAND型フラッシュメモリの出荷量は、前四半期よりもそれぞれ7％と26％増加した。売上げの構造はDRAMが76％でNAND型フラッシュメモリが21％、その他が3％と、NAND型フラッシュメモリの比重が拡大している。
ウリ投資証券のイ・セチョル研究員は、「20ナノメートルプロセスの拡大と、PC・サーバー製品の需要のせいでDRAMの供給量が増えており、NAND型フラッシュの場合、10ナノメートルの割合が増えてモバイルの需要が改善された」とし、「第4四半期にも継続的な実績改善が予想される」と説明した。
市場の見通しは明るい。DRAM市場はサーバーとモバイルを中心に安定した成長が予想され、データトラフィックの増加に応じてサーバー用のDRAM需要が急速に増えているというのがSKハイニックスの説明だ。あわせて、スマートフォンの機器当たりDRAM搭載量の増加と、中国のLTE市場の拡大もDRAM供給者に友好的な状況だ。NAND型フラッシュメモリも、ノートブックコンピュータ用のソリッドステートドライブ（SSD）の販売増加と、データセンター内のSSDの比率拡大にささえられ、需要の拡大が期待される。
このような市場状況に対応するために、SKハイニックスは20ナノメートル中間のプロセス技術をサーバとモバイルに拡大し、来年から128ギガバイトおよびNVDIMMなど、サーバー用モジュールでDDR4市場に参入する予定だ。NVDIMM（Nonvolatile DIMM／不揮発性メモリDIMM）は、予期しない電力損失が発生した場合でもデータを安全に保存・回復できる、高付加価値製品だ。また、20ナノメートル前半台のプロセス技術の開発も年内に完了するという方針であり、第1世代に続いて第2世代と第3世代の3D NAND型フラッシュメモリの開発にも努めるという戦略だ。
SKハイニックスは持続した投資を土台に、製品のコスト競争力を強化していく方針だ。
来年の下半期に完成予定である京畿道の利川（イチョン）新工場（M14）に、今年に追加で3000億ウォンを投資する計画だ。同社はすでに今年に入り、第3四半期までに3兆9000億ウォンの設備投資を行っており、今年の年間投資額は4兆ウォン台の後半になると予想される。来年の夏にM14が完工すれば、既存の生産ラインのM10から装備を移行する必要に加え、DRAMとNAND型フラッシュメモリの微細プロセス転換のために、来年の投資額は今年よりもさらに増えると展望される。
SKハイニックス、営業利益率30％で史上最高…第4四半期の見通し明るく
半導体特需で最大実績、来年の投資額5兆ウォン超えるよう
< SKハイニックス半期ごとの実績 >
SKハイニックスは23日の実績発表とコンファレンス・コールで、第3四半期は売上げ4兆3121億ウォン、営業利益1兆3010億ウォン、純利益1兆951億ウォンを記録したと発表した。前年同期との対比で売上げは6％増加し、営業利益は12％増となった。特に営業利益率は昨年第3四半期の29％を超えて30％を達成した。SKハイニックスによると、第3四半期のDRAMとNAND型フラッシュメモリの出荷量は、前四半期よりもそれぞれ7％と26％増加した。売上げの構造はDRAMが76％でNAND型フラッシュメモリが21％、その他が3％と、NAND型フラッシュメモリの比重が拡大している。
ウリ投資証券のイ・セチョル研究員は、「20ナノメートルプロセスの拡大と、PC・サーバー製品の需要のせいでDRAMの供給量が増えており、NAND型フラッシュの場合、10ナノメートルの割合が増えてモバイルの需要が改善された」とし、「第4四半期にも継続的な実績改善が予想される」と説明した。
市場の見通しは明るい。DRAM市場はサーバーとモバイルを中心に安定した成長が予想され、データトラフィックの増加に応じてサーバー用のDRAM需要が急速に増えているというのがSKハイニックスの説明だ。あわせて、スマートフォンの機器当たりDRAM搭載量の増加と、中国のLTE市場の拡大もDRAM供給者に友好的な状況だ。NAND型フラッシュメモリも、ノートブックコンピュータ用のソリッドステートドライブ（SSD）の販売増加と、データセンター内のSSDの比率拡大にささえられ、需要の拡大が期待される。
このような市場状況に対応するために、SKハイニックスは20ナノメートル中間のプロセス技術をサーバとモバイルに拡大し、来年から128ギガバイトおよびNVDIMMなど、サーバー用モジュールでDDR4市場に参入する予定だ。NVDIMM（Nonvolatile DIMM／不揮発性メモリDIMM）は、予期しない電力損失が発生した場合でもデータを安全に保存・回復できる、高付加価値製品だ。また、20ナノメートル前半台のプロセス技術の開発も年内に完了するという方針であり、第1世代に続いて第2世代と第3世代の3D NAND型フラッシュメモリの開発にも努めるという戦略だ。
SKハイニックスは持続した投資を土台に、製品のコスト競争力を強化していく方針だ。
来年の下半期に完成予定である京畿道の利川（イチョン）新工場（M14）に、今年に追加で3000億ウォンを投資する計画だ。同社はすでに今年に入り、第3四半期までに3兆9000億ウォンの設備投資を行っており、今年の年間投資額は4兆ウォン台の後半になると予想される。来年の夏にM14が完工すれば、既存の生産ラインのM10から装備を移行する必要に加え、DRAMとNAND型フラッシュメモリの微細プロセス転換のために、来年の投資額は今年よりもさらに増えると展望される。
- 毎日経済_チョン・スンファン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2014-10-23 17:16:39
