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数字経済 > 企業 > SKハイニックス、3D垂直構造のNAND型フラッシュメモリを来年に量産
SKハイニックスは、3次元(3D)垂直構造のNAND型フラッシュメモリの量産に乗り出す。現在、市場の主流となっている第3世代の48段3D NAND型製品で市場を攻略するという覚悟だ。朴星昱(パク・ソンウク)SKハイニックス社長(写真)は14日、京畿道一山(イルサン)キンテックスで開かれた「2015韓国電子産業大展」に参加し、記者らと会って「今年に36段3D NAND型フラッシュメモリの開発を終えて、来年には48段3D NAND型フラッシュを開発し、本格的に量産したい」と語った。
3D NAND型は情報ストレージユニットを垂直に積み上げた方式だ。速度が速くて耐久性が良く、消費電力を減らす利点があるが、高度な技術力が必要で、現在はサムスン電子だけが唯一生産・販売している。サムスン電子はこれまで第2世代の36段3D NAND型製品を販売してきたが、今年の8月から第3世代と呼ばれる48段NAND型フラッシュの量産を開始した状態だ。
SKハイニックスも1世代の24段3D NAND型の開発を終え、今年は第2世代の36段を経て、来年には48段3D NAND型製品まで開発を終えるという計画だ。
競合他社がすでに市場で48段の製品を販売していることから、来年に量産を経て販売する製品は48段3D NAND型に決定した。
東芝やマイクロンなどの競合他社も、3D NAND型フラッシュメモリの量産を準備している。 20ナノメートルプロセス・DRAMメモリの生産に対してパク社長は自信を見せた。最近、稼動を開始したM14ラインを基盤に、20ナノメートル台前半のプロセスでDRAM生産を拡大する覚悟だ。