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サムスン電子、128ギガビットの大容量DRAMモジュール、世界初の量産
サムスン電子が3次元シリコン貫通電極（TSV）の積層技術を適用した容量128GB（ギガビット）を実現したサーバー向けDDR4 RDIMMを本格的に量産すると26日、明らかにした。
今回、量産に突入したDRAMモジュールは、世界最大の容量だ。サムスン電子は去年8月、3次元シリコン貫通電極の技術を用いて、64ギガビットのDDR4 DRAMモジュールを量産したのに続いて今回、128ギガビットモジュールの量産にも成功し、DRAM容量の限界を突破したという評価だ。3次元シリコン貫通電極の技術は、DRAMチップを一般紙の厚さの半分よりも薄く削った後、数百個の微細な穴をあけて上部チップと下部チップの穴を垂直に貫通する電極を接続した、先端パッケージング技術だ。
128ギガビットの3次元シリコン貫通電極のDRAMモジュールは、20ナノの工程を適用した8ギガビットDDR4 DRAMチップ144個で成り立っている。既存のワイヤ（金線）を利用したパッケージよりも信号転送の特性が優れており、最適化されたチップの動作回路を構成することができ、動作速度の上昇と消費電力の削減を同時に実現した。既存の64ギガビットDRAMモジュールに比べて速度が2倍速いことに対し、消費電力は50％低いという説明だ。
サムスン電子の関係者は、「3次元シリコン貫通電極の技術を活用して、次世代の超高速パソコン用HBM製品に続き、一般消費者向けの製品も適期に量産してプレミアムメモリー市場の拡大を主導する」と明らかにした。
サムスン電子、128ギガビットの大容量DRAMモジュール、世界初の量産
今回、量産に突入したDRAMモジュールは、世界最大の容量だ。サムスン電子は去年8月、3次元シリコン貫通電極の技術を用いて、64ギガビットのDDR4 DRAMモジュールを量産したのに続いて今回、128ギガビットモジュールの量産にも成功し、DRAM容量の限界を突破したという評価だ。3次元シリコン貫通電極の技術は、DRAMチップを一般紙の厚さの半分よりも薄く削った後、数百個の微細な穴をあけて上部チップと下部チップの穴を垂直に貫通する電極を接続した、先端パッケージング技術だ。
128ギガビットの3次元シリコン貫通電極のDRAMモジュールは、20ナノの工程を適用した8ギガビットDDR4 DRAMチップ144個で成り立っている。既存のワイヤ（金線）を利用したパッケージよりも信号転送の特性が優れており、最適化されたチップの動作回路を構成することができ、動作速度の上昇と消費電力の削減を同時に実現した。既存の64ギガビットDRAMモジュールに比べて速度が2倍速いことに対し、消費電力は50％低いという説明だ。
サムスン電子の関係者は、「3次元シリコン貫通電極の技術を活用して、次世代の超高速パソコン用HBM製品に続き、一般消費者向けの製品も適期に量産してプレミアムメモリー市場の拡大を主導する」と明らかにした。
- 毎経ドットコム キム・ヨンヨン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2015-11-26 10:09:00
