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サムスン電子、NAND型フラッシュで36.6％のシェア…2位東芝との格差大きく
サムスン電子、NAND型フラッシュで36.6％のシェア…2位東芝との格差大きく
NAND型フラッシュメモリ半導体で市場占有率1位のサムスン電子は、日本の東芝との格差をこれまでの最大レベルにまで拡げた。
2日、半導体市場調査会社のDRAMエクスチェンジによると、サムスン電子は今年第3四半期のNAND型フラッシュメモリ市場で、37億4400万ドル（約4兆3820億ウォン）の売上げを上げて36.6％のシェアを記録した。これによって、売上げ20億2600万ドル（約2兆3710億ウォン）でシェア19.8％の東芝を大きく引き離した。サムスン電子のシェアが東芝の2倍に近づいて、シェアの格差も前四半期の16.2％から16.8％に大きくなり、これまでの最大を記録した。
2012年初めには両社のシェアの格差は0.9％ポイントまで縮まったが、2014年6～10％ポイントと2015年11～15％ポイントと少しずつ変わり始めた。今年の場合、第1四半期に10％ポイントの線まで縮めたが、市場の需要が回復し始めた第2四半期から再び開き始めた。
サムスンがNAND型フラッシュメモリ市場で独走するのは、3次元（3D）V NAND型の積層技術などの技術力と製品の量産力で独歩的な位置にあるからだ。
NAND型フラッシュは、電源を切ってもデータが保存される特性のためにモバイル機器で多く使われ、PCやラップトップコンピュータの新しい記憶装置として脚光を浴びているソリッド・ステート・ドライブ（SSD）にも使用される。特にV NAND型フラッシュメモリの場合、高付加価値製品であるサーバー用などに使われている。このためにNAND型フラッシュメモリの需要は増え続ける見込みだ。サムスン電子は一歩先に進み、年内に第4世代（64段）V NAND型フラッシュメモリの量産に入る計画だ。
シェア第3位はウェスタンデジタル（17.1％）で、サンディスクを合併した効果のおかげで前四半期比で売上げを26.7％も増やした。
SKハイニックスはシェアを前四半期よりも0.1％ポイント高めた10.4％に引き上げて、マイクロン（9.8％）を抜いて5位から4位に浮上した。 SKハイニックスはNAND型フラッシュメモリの平均販売価格（ASP）が7％上昇し、出荷を12％増やしたおかげで第3四半期の売上げは前四半期比で20.3％増加した。
市場の成長を念頭に置いたSKハイニックスは現在、48段の3D NAND型フラッシュメモリの量産に入り、来年上半期には第4世代（72段）製品の開発を完了して、下半期から本格的に量産する計画だ。
2日、半導体市場調査会社のDRAMエクスチェンジによると、サムスン電子は今年第3四半期のNAND型フラッシュメモリ市場で、37億4400万ドル（約4兆3820億ウォン）の売上げを上げて36.6％のシェアを記録した。これによって、売上げ20億2600万ドル（約2兆3710億ウォン）でシェア19.8％の東芝を大きく引き離した。サムスン電子のシェアが東芝の2倍に近づいて、シェアの格差も前四半期の16.2％から16.8％に大きくなり、これまでの最大を記録した。
2012年初めには両社のシェアの格差は0.9％ポイントまで縮まったが、2014年6～10％ポイントと2015年11～15％ポイントと少しずつ変わり始めた。今年の場合、第1四半期に10％ポイントの線まで縮めたが、市場の需要が回復し始めた第2四半期から再び開き始めた。
サムスンがNAND型フラッシュメモリ市場で独走するのは、3次元（3D）V NAND型の積層技術などの技術力と製品の量産力で独歩的な位置にあるからだ。
NAND型フラッシュは、電源を切ってもデータが保存される特性のためにモバイル機器で多く使われ、PCやラップトップコンピュータの新しい記憶装置として脚光を浴びているソリッド・ステート・ドライブ（SSD）にも使用される。特にV NAND型フラッシュメモリの場合、高付加価値製品であるサーバー用などに使われている。このためにNAND型フラッシュメモリの需要は増え続ける見込みだ。サムスン電子は一歩先に進み、年内に第4世代（64段）V NAND型フラッシュメモリの量産に入る計画だ。
シェア第3位はウェスタンデジタル（17.1％）で、サンディスクを合併した効果のおかげで前四半期比で売上げを26.7％も増やした。
SKハイニックスはシェアを前四半期よりも0.1％ポイント高めた10.4％に引き上げて、マイクロン（9.8％）を抜いて5位から4位に浮上した。 SKハイニックスはNAND型フラッシュメモリの平均販売価格（ASP）が7％上昇し、出荷を12％増やしたおかげで第3四半期の売上げは前四半期比で20.3％増加した。
市場の成長を念頭に置いたSKハイニックスは現在、48段の3D NAND型フラッシュメモリの量産に入り、来年上半期には第4世代（72段）製品の開発を完了して、下半期から本格的に量産する計画だ。
- 毎日経済_ウ・ジェユン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2016-12-02 16:05:37
