トップ > 数字経済 > マーケット > モバイルDラム・NAND型需要30％ ↑...サムスン・SKハイニックス恩恵
中国の中・低価格スマートフォンの攻勢で、サムスン電子のGALAXYスマートフォンの販売が危機に直面したが、スマートフォンの核心部品であるモバイルDRAMとNAND型フラッシュメモリなどはサムスン電子とSKハイニックスの供給量が絶対的な比重を占めており、世界のスマートフォン市場の拡大とともに、半導体部門の成長が予告されている。サムスン電子がスマートフォン部門で中国メーカーに押されると言えども、半導体部門では依然として堅固な実績を維持できるという話だ。
22日、市場調査機関SA（ストラテジー・アナリティクス）によると、世界のスマートフォン市場におけるサムスン電子のシェアは30％前後で停滞しているが、全体の市場規模は2011年の4億9050万台から2012年に7億10万台、2013年には9億9000万台に増加して来ており、今年の第1四半期にも全世界的に2億8500万台が供給され、スマートフォンの販売は年末までに例年の水準を超えるとみられる。
今年の後半にはサムスン電子がGALAXY Note 4を、アップルはiPhone 6などの新製品を発売し、中国のレノボ・シャオミ（小米）・ファーウェイ（Huawei）社がスマートフォンの供給を拡大する予定であり、スマートフォンに使用されるモバイルDRAMとNAND型フラッシュメモリの需要はさらに増えると期待される。
市場調査会社のIHSは、1ギガバイト基準に換算した世界のDRAM需要は今年の下半期に263億4900万個に、上半期の217億1300万より21.4％増加するとにらむ。NAND型フラッシュメモリも下半期の需要が299億8500万個と、上半期の227億6100万より31.7％増えると展望した。専門家らは一時的な供給不足で、モバイルDRAMとNAND型フラッシュメモリの価格が上昇する可能性も提起した。第1四半期のモバイルDRAM市場シェアは、サムスン電子が43.9％で米マイクロンが29.8％、SKハイニックスが23.6％の順だ。
SKハイニックスは先月、中国・深センのファーウェイ・ZTE・クールパッドなどの主要スマートフォンメーカーを招き、「SKハイニックスのモバイル・ソリューションデー」を開催し、8ギガビットLPDDR3 DRAM、4ギガビットLPDDR2 DRAM、eMMC5.0 NAND型フラッシュメモリなどのスマートフォン部品を紹介して、中国の携帯電話市場の攻略に乗り出した。
第1四半期のNAND型フラッシュメモリ市場はサムスン電子が37.4％を占めており、東芝が31.9％でSKハイニックスは10.6％だった。NAND型フラッシュメモリは、スマートフォンの供給増加とともに個別スマートフォンのストレージ容量も大きくなる傾向にあり、需要はさらに増える見通しだ。
一方、モバイルDRAMとNAND型フラッシュメモリとともに、また別のスマートフォンの核心部品であるAP（アプリケーションプロセッサ）と関連し、サムスン電子のGALAXY スマートフォンAPの供給をめぐって、サムスンとクアルコムが熾烈な競争を繰り広げている。
モバイルDラム・NAND型需要30％ ↑...サムスン・SKハイニックス恩恵
市場調査機関SA「モバイルDRAM 世界市場シェア」
< モバイルDRAM 世界市場シェア >
22日、市場調査機関SA（ストラテジー・アナリティクス）によると、世界のスマートフォン市場におけるサムスン電子のシェアは30％前後で停滞しているが、全体の市場規模は2011年の4億9050万台から2012年に7億10万台、2013年には9億9000万台に増加して来ており、今年の第1四半期にも全世界的に2億8500万台が供給され、スマートフォンの販売は年末までに例年の水準を超えるとみられる。
今年の後半にはサムスン電子がGALAXY Note 4を、アップルはiPhone 6などの新製品を発売し、中国のレノボ・シャオミ（小米）・ファーウェイ（Huawei）社がスマートフォンの供給を拡大する予定であり、スマートフォンに使用されるモバイルDRAMとNAND型フラッシュメモリの需要はさらに増えると期待される。
市場調査会社のIHSは、1ギガバイト基準に換算した世界のDRAM需要は今年の下半期に263億4900万個に、上半期の217億1300万より21.4％増加するとにらむ。NAND型フラッシュメモリも下半期の需要が299億8500万個と、上半期の227億6100万より31.7％増えると展望した。専門家らは一時的な供給不足で、モバイルDRAMとNAND型フラッシュメモリの価格が上昇する可能性も提起した。第1四半期のモバイルDRAM市場シェアは、サムスン電子が43.9％で米マイクロンが29.8％、SKハイニックスが23.6％の順だ。
SKハイニックスは先月、中国・深センのファーウェイ・ZTE・クールパッドなどの主要スマートフォンメーカーを招き、「SKハイニックスのモバイル・ソリューションデー」を開催し、8ギガビットLPDDR3 DRAM、4ギガビットLPDDR2 DRAM、eMMC5.0 NAND型フラッシュメモリなどのスマートフォン部品を紹介して、中国の携帯電話市場の攻略に乗り出した。
第1四半期のNAND型フラッシュメモリ市場はサムスン電子が37.4％を占めており、東芝が31.9％でSKハイニックスは10.6％だった。NAND型フラッシュメモリは、スマートフォンの供給増加とともに個別スマートフォンのストレージ容量も大きくなる傾向にあり、需要はさらに増える見通しだ。
一方、モバイルDRAMとNAND型フラッシュメモリとともに、また別のスマートフォンの核心部品であるAP（アプリケーションプロセッサ）と関連し、サムスン電子のGALAXY スマートフォンAPの供給をめぐって、サムスンとクアルコムが熾烈な競争を繰り広げている。
- 毎日経済_イ・ヂンミョン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2014-07-22 17:27:15
