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サムスン電子、中国・西安半導体工場第2ライン着工


  • サムスン電子、中国・西安半導体工場第2ライン着工
  • サムスン電子は28日、中国の陝西省西安市で「サムスン中国半導体メモリ第2ライン起工式」を開いた。この日の行事には金奇南(キム・ギナム)サムスン電子社長、盧英敏(ノ・ヨンミン)駐中韓国大使、劉國中(リュグォチュン)陝西省長、胡和平(フオピン)陝西省委員長、苗圩(ミャオウェイ)工業情報化部長などが参加した。 写真提供=サムスン電子



サムスン電子は第4次産業革命が推進するメモリ需要に対応するために、中国西安の半導体工場で第2期生産ラインの着工に入った。サムスン電子は28日(現地時間)午前、中国陝西省西安市のサムスン半導体工場で「メモリ第2ライン起工式」を開催したとこの日、明らかにした。

サムスン電子は昨年8月、西安半導体2期ラインに3年間で総70億ドル(約7兆8000億ウォン)を投資すると陝西省政府と覚書(MOU)を締結した。西安半導体第2期ラインは来年中に完成する予定であり、今後は半導体製造装置を持ち込み、V NAND型フラッシュメモリの量産に乗り出すことになる。

サムスンの西安半導体工場は最初、2014年5月に115万平方メートル(約34万5000坪)の敷地に建物延べ面積23万平方メートル(7万坪)規模で完成し、韓国と中国のICT協力の重大なマイルストーンとなった。

第1ラインで生産される製品の全量は、海外輸出ではなく中国内の企業に充当するほど供給が不足している状況だ。 第2ラインの完成時には月の生産能力は、投入ウェハを基準に約10万枚から12万枚規模の1ラインに加えて月22万枚前後の生産能力を保有することになる。サムスン電子の関係者は「今回の2期の投資を通じて、NAND型フラッシュメモリ最大の需要先であり、世界的なモバイル・IT(情報技術)企業の生産基地が集中している中国市場での製造競争力をさらに強化し、中国市場のニーズにより円滑に対応することができるものと期待する」と語った。

NAND型はDRAMとは異なり、電源を切ってもデータを記憶するメモリ半導体で、モノのインターネット(IoT)と人工知能(AI)やバーチャルリアリティ(VR)など第4次産業革命での需要拡大が続いている。この中でもV NAND型メモリは平面型のNAND型とは異なり、回路を積み重ねた3次元構造で作られたNAND型フラッシュメモリで集積度が高く容量が大きい。

サムスン電子は2014年から西安半導体工場でV NAND型を量産してきたが、稼働率が100%にもかかわらず供給が増えるやいなやライン増設に乗り出した。サムスン電子のキム・ギナム代表取締役社長は記念の辞で、「西安第2期ラインの正常な稼働で、最高のメモリー半導体製品の生産と差別化されたソリューションを顧客に提供し、グローバルIT市場の成長に貢献したい」と語った。
  • 毎日経済_イ・ヂェチョル記者 | (C) mk.co.kr
  • 入力 2018-03-28 19:43:24




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