トップ > 数字経済 > 企業 > サムスン電子…モバイル用高速NAND型メモリ量産開始
サムスン電子は歴代最高速度のスマートフォン用メモリ（記憶装置）を開発し、本格的な量産に突入した。「コロナ19」の拡散によって不確実性が高まった中で技術で「超格差：を拡大しながら、強みを持つメモリ分野で市場のリーダーシップを堅固に守っているという評価だ。
サムスン電子は17日、スマートフォン用のメモリ製品「512GB（ギガバイト）eUFS（embedded Universal Flash Storage）3.1」を世界で初めて本格的に量産したと明らかにした。「512GB eUFS 3.1」は連続書き込み速度が毎秒1200MBで、従来製品（3.0）に比べて3倍ほど速いことが特徴だ。映画1本を約4秒で保存できる速度だ。
データ処理速度では、SATAソリッドステートドライブ（SSD）を搭載したPCよりも2倍以上、UHS-IマイクロSDカードよりも10倍以上も速く、技術の進歩を成し遂げたわけだ。この製品の連続読み取り速度（ストレージメモリに保存されたデータを読み込む速度）は毎秒2100MBで最高水準を維持しており、任意の読み取り・書き込み速度（ストレージメモリと機器間における毎秒のデータ入出力の回数）も従来よりも速くなった。 100GBのデータをスマートフォンに移すときは、既存のeUFS 3.0メモリでは4分以上かかるが、eUFS 3.1を搭載したスマートフォンは約1分30秒で充分だ。 8Kの超高画質映像や数百枚の大容量の写真も簡単に保存することができ、スマートフォンでも超薄型ノートブックコンピュータなみの利便性を体感できるというのがサムスン側の説明だ。サムスン電子は512GB、256GB、128GBの3つの容量で構成された「eUFS 3.1」の製品ラインナップで、今年のフラッグシップスマートフォンのメモリ市場を先取りするという計画だ。
サムスン電子メモリー事業部のチェ・チョル戦略マーケティング室副社長は、「今年のモバイルメーカーが要求する物量を安定して供給できるようにすべての準備をしていくつもりだ」と述べた。
サムスン電子は新しいプロセスの導入に速度を出して、NAND型フラッシュメモリ市場の支配力をさらに大きくするという構想だ。コロナ19の拡散にもかかわらず、これまでの計画通りに滞りなく中国西安の新規ラインの稼動に突入し、市場の懸念を払拭させた。サムスン電子は京畿道の平沢キャンパスP1ラインで生産されている第5世代V NAND型フラッシュメモリの第6世代V NAND型への移行速度を向上させ、西安2ライン（X2）で5世代V NAND型フラッシュメモリの量産を開始して、フラッグシップスマートフォンからハイエンドのスマートフォンまで攻略する方針だ。
サムスン電子…モバイル用高速NAND型メモリ量産開始
512GB eUFS 3.1
サムスン電子は歴代最高速度のスマートフォン用メモリ（記憶装置）を開発し、本格的な量産に突入した。「コロナ19」の拡散によって不確実性が高まった中で技術で「超格差：を拡大しながら、強みを持つメモリ分野で市場のリーダーシップを堅固に守っているという評価だ。
NANDメモリの世界市場シェア
サムスン電子は17日、スマートフォン用のメモリ製品「512GB（ギガバイト）eUFS（embedded Universal Flash Storage）3.1」を世界で初めて本格的に量産したと明らかにした。「512GB eUFS 3.1」は連続書き込み速度が毎秒1200MBで、従来製品（3.0）に比べて3倍ほど速いことが特徴だ。映画1本を約4秒で保存できる速度だ。
データ処理速度では、SATAソリッドステートドライブ（SSD）を搭載したPCよりも2倍以上、UHS-IマイクロSDカードよりも10倍以上も速く、技術の進歩を成し遂げたわけだ。この製品の連続読み取り速度（ストレージメモリに保存されたデータを読み込む速度）は毎秒2100MBで最高水準を維持しており、任意の読み取り・書き込み速度（ストレージメモリと機器間における毎秒のデータ入出力の回数）も従来よりも速くなった。 100GBのデータをスマートフォンに移すときは、既存のeUFS 3.0メモリでは4分以上かかるが、eUFS 3.1を搭載したスマートフォンは約1分30秒で充分だ。 8Kの超高画質映像や数百枚の大容量の写真も簡単に保存することができ、スマートフォンでも超薄型ノートブックコンピュータなみの利便性を体感できるというのがサムスン側の説明だ。サムスン電子は512GB、256GB、128GBの3つの容量で構成された「eUFS 3.1」の製品ラインナップで、今年のフラッグシップスマートフォンのメモリ市場を先取りするという計画だ。
サムスン電子メモリー事業部のチェ・チョル戦略マーケティング室副社長は、「今年のモバイルメーカーが要求する物量を安定して供給できるようにすべての準備をしていくつもりだ」と述べた。
サムスン電子は新しいプロセスの導入に速度を出して、NAND型フラッシュメモリ市場の支配力をさらに大きくするという構想だ。コロナ19の拡散にもかかわらず、これまでの計画通りに滞りなく中国西安の新規ラインの稼動に突入し、市場の懸念を払拭させた。サムスン電子は京畿道の平沢キャンパスP1ラインで生産されている第5世代V NAND型フラッシュメモリの第6世代V NAND型への移行速度を向上させ、西安2ライン（X2）で5世代V NAND型フラッシュメモリの量産を開始して、フラッグシップスマートフォンからハイエンドのスマートフォンまで攻略する方針だ。
- [ファン・スンミン記者]
- 入力 2020-03-17 17:26:02
