サムスン電子、半導体にも8兆投資…「超格差」ひろげる


サムスン電子は去る1日、京畿道平沢事業場に8兆ウォンを投資して、最尖端のNAND型フラッシュメモリの生産ラインを新たに構築すると明らかにした。先月21日に極紫外線(EUV)技術に基づいてファウンドリ(半導体受託生産)ラインづくりに10兆ウォンを投入することにした後、10日ぶりに再び大型投資を決定した。「2030年システム半導体1位」とコロナ19以降の「メモリ超格差維持」を同時に達成するという李在鎔(イ・ヂェヨン)サムスン電子副会長の決断が働いたという評価が出ている。

サムスンは今回の新規投資を通じて、2021年からV NAND型フラッシュメモリを量産する計画だ。NAND型フラッシュメモリはスマートフォンやデータセンターなどのストレージデバイスとして使われる。その中でもV NAND型フラッシュメモリは、ウェーハにデータを格納する「セル」を垂直に積み上げて容量を大きくした製品だ。新たに造成された建物には、先月21日に投資計画を発表したEUVファウンドリラインも構築される予定だ。

サムスンは今回の投資を、△人工知能とモノのインターネットや5Gの普及にともなう需要拡大、△非対面「ライフスタイル」による需要増加などに先制的に備えるためとした。サムスンは10日のあいだにEUVラインの構築に10兆ウォンとNAND型フラッシュラインに8兆ウォンなど計18兆ウォンの投資を決定したが、これには李副会長の「コロナ以後の市場に備える戦略」が作用したものと思われる。
  • 毎日経済_キム・ギュシク記者/チョン・ギョンウン記者 | (C) mk.co.kr
  • 入力 2020-06-02 00:08:02