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東国大研究チームが実用化可能な大面積不導体合成技術を開発
東国大学は3日、融合エネルギー新素材工学科のキム・ギガン教授をはじめとした共同研究チームが、世界で始めて実用化可能な大面積不導体合成技術を開発したと明らかにした。
既存の半導体素子基盤として広く使われる二酸化ケイ素は、電子素材と強く相互作用して素材固有の性能を低下させる問題があった。研究チームは二酸化ケイ素を窒化ホウ素で代替する方法を活用した。
研究チームは大面積・高結晶性による技術的な限界があった既存の銅基盤に代えて鉄基盤を使用し、厚みがありながら面積が広く結晶性が高い窒化ホウ素で薄膜を作ることに成功した。
キム・ギガン教授は「新技術により補完された窒化ホウ素は鉄基盤ではない別の機関に移す転写も容易に素材の動作速度を150倍向上させることができ、多様な構造の高性能電子素子開発にも有用に使用されるだろう」と話した。
今回の研究成果は先月28日「Nature Communication, IF 11.470」に掲載された。
既存の半導体素子基盤として広く使われる二酸化ケイ素は、電子素材と強く相互作用して素材固有の性能を低下させる問題があった。研究チームは二酸化ケイ素を窒化ホウ素で代替する方法を活用した。
研究チームは大面積・高結晶性による技術的な限界があった既存の銅基盤に代えて鉄基盤を使用し、厚みがありながら面積が広く結晶性が高い窒化ホウ素で薄膜を作ることに成功した。
キム・ギガン教授は「新技術により補完された窒化ホウ素は鉄基盤ではない別の機関に移す転写も容易に素材の動作速度を150倍向上させることができ、多様な構造の高性能電子素子開発にも有用に使用されるだろう」と話した。
今回の研究成果は先月28日「Nature Communication, IF 11.470」に掲載された。
- 毎経ドットコム_チョ・ソンシン記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2015-11-03 11:09:42
