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IBSナノ構造物理研究団、二硫化モリブデンの単一層での合成に成功
次世代半導体素材の合成技術を開発
国内の研究チームが次世代半導体素材と呼ばれる「二硫化モリブデン」を制御することができる技術を開発した。これにより、二硫化モリブデンを活用した次世代半導体素材の応用研究が活発になると期待される。
基礎科学研究院（IBS）ナノ構造物理研究団（団長イ・ヨンヒ）は二硫化モリブデンを単一層で合成する技術の開発に成功したと11日明らかにした。
二硫化モリブデンは原子レベルの薄い膜で、次世代素材として脚光を浴びている。構造的にグラフェン（炭素原子が六角形状に配列されている物質）と類似しているだけでなく、グラフェンとは異なり、抵抗を変化させすることができるため半導体として活用することができる。二硫化モリブデンはこのような半導体性質を持っているため、今後、太陽電池、フレキシブルディスプレイ、透明電子素子など、様々な素子に応用されることが予想される。
研究チームは二硫化モリブデンを合成する際、二硫化モリブデン膜を任意の位置に合成する技術の開発に成功した。酸化モリブデンまたは純粋なモリブデンのような特定基板上に二硫化モリブデンを合成した事例があるものの、所望する位置に合成することが困難だったり、単一層の合成が難しいという制限があった。イ団長は「二硫化モリブデン合成中に両立することができなかった限界を克服した」と述べた。
研究チームは次世代半導体産業の核心技術である良質の物質を任意の位置に合成することができる方法を提示したことが、今回の研究の最大のポイントだと説明した。イ団長は「今後、半導体産業に活用される可能性が高い」とし「別途のプロセスが必要なく、好きな位置に半導体を作製できるようになるだろう」と期待した。
研究結果は、国際学術誌『Nature Communications』に先月28日に掲載された。
基礎科学研究院（IBS）ナノ構造物理研究団（団長イ・ヨンヒ）は二硫化モリブデンを単一層で合成する技術の開発に成功したと11日明らかにした。
二硫化モリブデンは原子レベルの薄い膜で、次世代素材として脚光を浴びている。構造的にグラフェン（炭素原子が六角形状に配列されている物質）と類似しているだけでなく、グラフェンとは異なり、抵抗を変化させすることができるため半導体として活用することができる。二硫化モリブデンはこのような半導体性質を持っているため、今後、太陽電池、フレキシブルディスプレイ、透明電子素子など、様々な素子に応用されることが予想される。
研究チームは二硫化モリブデンを合成する際、二硫化モリブデン膜を任意の位置に合成する技術の開発に成功した。酸化モリブデンまたは純粋なモリブデンのような特定基板上に二硫化モリブデンを合成した事例があるものの、所望する位置に合成することが困難だったり、単一層の合成が難しいという制限があった。イ団長は「二硫化モリブデン合成中に両立することができなかった限界を克服した」と述べた。
研究チームは次世代半導体産業の核心技術である良質の物質を任意の位置に合成することができる方法を提示したことが、今回の研究の最大のポイントだと説明した。イ団長は「今後、半導体産業に活用される可能性が高い」とし「別途のプロセスが必要なく、好きな位置に半導体を作製できるようになるだろう」と期待した。
研究結果は、国際学術誌『Nature Communications』に先月28日に掲載された。
- 毎日経済_ウォン・ホソプ記者 | (C) mk.co.kr
- 入力 2015-02-11 12:25:03
