「IR52蔣英実賞」…サムスン電子「広帯域幅メモリ」が受賞



  • 左からサムスン電子ペク・チョルホ研究員、ソン・ギョミン マスター、チョン・ギチョル研究員、キム・グヨン研究員。



サムスン電子が開発した「広帯域幅メモリフラッシュボルト(HBM2E Flashbolt TM)」が、今年の第52週次「iR52チャン・ヨンシル賞」を受賞した。

メモリ「フラッシュボルト(Flashbolt)」はスーパーコンピュータでの演算のための高性能・大容量メモリDRAM(半導体記憶素子)だ。サムスン電子は「既存の製品よりも大きな容量とさらに高い速度を希望する顧客の要求を満足させるため、開発にとりかかって成功した」とし、「人工知能(AI)加速器が必要とする性能を満足させることができる唯一のメモリ製品」だと強調した。

この製品は国際半導体標準化機構で標準化を進めている「高性能グラフィックスDRAM(GDDR6)」と比較した時も優れた性能を誇る。面積は高性能グラフィックスDRAMの半分ほどだが、容量は4倍ほど大きく、毎秒2.8倍のデータを処理することができる。電力も従来品に比べて3分の1ほどですむ。世界で初めて開発した「12段積層技術」が適用されたためだ。髪の毛の20分の1以下ほどの太さであるシリコン貫通電極(TSV)を6万個接続する「3D-TSV」尖端パッケージング技術を採用した。工程を終えた複数のチップを薄く積み上げて一つの半導体を構成し、全体の面積は減少するが容量は大きく増えたメモリの実現が可能になったというのがサムスン電子側の説明だ。

サムスン電子は「広帯域幅メモリフラッシュボルトDRAMの主要な取引先は、米国・中国・日本のスーパーコンピュータ、ディープラーニングAIアプリケーション、高性能グラフィックスシステム、5Gなどのネットワークサービスプロバイダ」だとし、「2024年までの5年間で2兆4000億ウォン規模の輸出を期待している」とした。

サムスン電子研究チームは「AIの発展だけでなく、5Gのための高速ネットワークサーバやスーパーコンピュータに至るまで、フラッシュボルトの利用は無尽蔵で、容量と性能に対する要求は高まり続けている」とし、「容量の観点からは16段積層製品まで開発し、パフォーマンスの観点からも現在の4.2Gbpsよりはるかに高い6.4Gbps以上の製品を開発するつもり」だとした。

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  • 毎日経済_パク・ユンギュン記者 | (C) mk.co.kr
  • 入力 2020-12-29 19:20:24